[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：

衬底，具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，并且具有导体图案；

控制器，安装在所述第1区域；

半导体存储器零件，安装在所述第2区域，且由所述控制器控制；

第1及第2电容器，安装在所述第3区域，且在从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向上排列；及

第1跨接元件，安装在所述第3区域；且

所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器；

所述第1导体部与所述第2导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第1跨接元件相互电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1跨接元件是使用焊料而固定在所述衬底的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第1跨接元件的最大宽度比所述第2方向上的所述第1导体部的最大宽度窄，且比所述第2方向上的所述第2导体部的最大宽度窄。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

还具备第3电容器，该第3电容器于与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1电容器排列，

所述第1导体部在所述衬底中跨及相对于所述第1电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域、及相对于所述第3电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域，且电连接在所述第3电容器。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1跨接元件的至少一部分配置在所述第1电容器与所述第3电容器之间。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，

还具备第4电容器，该第4电容器在所述第2方向上与所述第2电容器排列，所述第2导体部在所述衬底中跨及相对于所述第2电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域、及相对于所述第4电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域，且电连接在所述第4电容器。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，

所述第1跨接元件的另一部分配置在所述第2电容器与所述第4电容器之间。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第5电容器，安装在所述第3区域，且相对于所述第2电容器在所述第1方向上配置在与所述第1电容器相反之侧；及

第2跨接元件，安装在所述第3区域；且

所述导体图案还包含第3导体部，该第3导体部在所述衬底的厚度方向上与所述第5电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第5电容器，

所述第2导体部与所述第3导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第2跨接元件相互电连接。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：

第6及第7电容器，安装在所述第3区域；及

第3跨接元件，安装在所述第3区域；且

所述衬底具有：第1面，安装着所述第1及第2电容器、以及所述第1跨接元件；及第2面，位于与所述第1面相反之侧，且安装着所述第6及第7电容器、以及所述第3跨接元件；

所述导体图案还包含在所述衬底的厚度方向上分别设置在与所述第1及第2导体部不同的位置的第4导体部及第5导体部，该第4导体部在所述衬底的厚度方向上与所述第6电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第6电容器，该第5导体部在所述衬底的厚度方向上与所述第7电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第7电容器，

所述第4导体部与所述第5导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第3跨接元件相互电连接。