[发明专利]半导体存储装置

说明书

实施方式提供一种能够谋求可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、控制器、半导体存储器零件、第1及第2电容器、以及跨接元件。所述衬底具有导体图案。所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器。所述第1导体部与所述第2导体部相互分离，并且利用所述跨接元件相互电连接。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2017-238103号(申请日：2017年12月12日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。

背景技术

已知有具备衬底、控制器及半导体存储器零件的半导体存储装置。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够谋求可靠性的提高的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具备衬底、控制器、半导体存储器零件、第1及第2电容器、以及跨接元件。所述衬底具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，并且具有导体图案。所述控制器安装在所述第1区域。所述半导体存储器零件安装在所述第2区域，且由所述控制器控制。所述第1及第2电容器安装在所述第3区域，且在从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向上排列。所述跨接元件安装在所述第3区域。所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器。所述第1导体部与所述第2导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述跨接元件相互电连接。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的图。

图2是表示第1实施方式的半导体存储装置的功能构成的一部分的框图。

图3是表示第1实施方式的半导体存储装置的导体图案的一部分的图。

图4A是将图3中所示的由F4A线包围的区域放大表示的俯视图。

图4B是将图3中所示的由F4B线包围的区域放大表示的俯视图。

图5是图4A中所示的半导体存储装置的沿F5-F5线的剖视图。

图6是表示第1实施方式的多个电容器的电连接关系的图。

图7是示意性地表示从第1实施方式的控制器朝向NAND(Not-And，与非)的热的流动的图。

图8A是表示第2实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。

图8B是表示第2实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。

图9是表示第2实施方式的多个电容器的电连接关系的图。

图10A是表示第3实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。

图10B是表示第3实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。

图11是表示第3实施方式的多个电容器的电连接关系的图。

图12A是表示第4实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。

图12B是表示第4实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。

图13A是表示第5实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。