[发明专利]基板处理装置有效

专利信息
申请号: 201810886178.9 申请日: 2016-02-19
公开(公告)号: CN109037111B 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 泽岛隼;波多野章人;小林健司;西村优大;岛井基行;林豊秀 申请(专利权)人: 株式会社思可林集团
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 向勇
地址: 日本京都*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

发明提供一种基板处理装置,该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。返回流路与上游流路连接。下游加热器对在上游流路内流动的液体进行加热。下游切换单元能够将从供给流路供给到多个上游流路的液体有选择地供给到多个喷出口以及返回流路中的一方。

本申请是申请日为2016年2月19日、申请号为2016100921335、发明名称为“基板处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置。作为成为处理对象的基板,例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay:场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。

背景技术

在日本国特开2006-344907号公报中公开了一种对半导体晶片等基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置。所述基板处理装置具有将基板保持为水平并使基板旋转的旋转卡盘和向由旋转卡盘保持的基板的上表面中央部喷出温度比室温高的处理液的喷嘴。从喷嘴喷出的高温的处理液着落在基板的上表面中央部后,沿正在旋转的基板的上表面向外方流动。由此,高温的处理液被供给到基板的整个上表面。

着落在正在旋转的基板的上表面中央部上的处理液沿着基板的上表面从中央部向周缘部流动。在该过程中,处理液的温度逐渐下降。因此,温度的均一性下降,导致处理的均一性恶化。如果使从喷嘴喷出的处理液的流量增加,则能够缩短处理液到达基板的上表面周缘部的时间,因此,处理液的温度下降程度减轻,但是在该情况下,会导致处理液的消耗量增加。

发明内容

本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,该基板处理装置包括将基板保持为水平并使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转的基板保持单元和向由所述基板保持单元保持的基板供给处理液的处理液供给系统。

所述处理液供给系统包括供给流路、多个上游流路、多个喷出口、多个返回流路、多个下游加热器、下游切换单元。所述供给流路将液体向多个所述上游流路引导。多个所述上游流路从所述供给流路分支,将从所述供给流路供给的液体向多个所述喷出口引导。多个所述喷出口包括主喷出口和多个副喷出口,所述主喷出口向所述基板的上表面中央部喷出处理液,多个所述副喷出口向从所述上表面中央部离开且距所述旋转轴线的距离不同的所述基板的上表面内的多个位置分别喷出处理液,多个所述喷出口分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置,将经由多个所述上游流路供给的液体向由所述基板保持单元保持的基板的上表面喷出。多个所述上游流路包括与所述主喷出口连接的主上游流路和与多个所述副喷出口连接的多个副上游流路。多个所述返回流路在多个所述副喷出口的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接。多个所述下游加热器在所述返回流路和所述副上游流路的连接位置的上游的位置分别与多个所述副上游流路连接,对在多个所述副上游流路内流动的液体进行加热。所述下游切换单元能够切换到多个状态中的某个状态,所述多个状态包括从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述喷出口供给的喷出状态和从所述供给流路供给到多个所述上游流路的液体向多个所述返回流路供给的喷出停止状态。

根据本发明,引导处理液的供给流路分支成多个上游流路。由此,能够使喷出口的数量增加。在供给流路内流动的处理液经由上游流路向喷出口供给,并向围绕旋转轴线旋转的基板的上表面喷出。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。因此,与仅使1个喷出口喷出处理液的情况相比较,能够提高基板上的处理液的温度的均一性。由此,能够一边降低处理液的消耗量,一边提高处理的均一性。

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