[发明专利]一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法有效
| 申请号： | 201810887953.2 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN109148643B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 孙涌涛;彭兴;楼杭晓 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 解决 ald 方式 perc 电池 注入 效率 降低 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
第1步：将背面ALD方式氧化铝膜沉积好的硅片插入石墨舟中，然后送入PECVD炉管中，抽真空，升温至工艺设定值；
第2步：在低压下通入笑气、氨气、硅烷，开启射频电源，时间60s-300s，完成氮氧化硅膜制作；
第3步：在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，时间600s-1000s，完成氮化硅膜制作；第4步：抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺；
第2步中，压力为1300mT-1800mT，笑气的流量为2000-5000sccm，氨气的流量为2000-5000sccm，硅烷的流量为400-1000sccm，射频功率为4000W-10000W。
2.根据权利要求1所述的一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，第1步中，温度的工艺设定值为400-600℃。
3.根据权利要求1所述的一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，第3步中，压力为1300mT-1800mT，氨气的流量为5000-10000sccm，硅烷的流量为400-1000sccm，射频功率为4000W-10000W，时间为600s-1000s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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