[发明专利]一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法

说明书

本发明提出了一种解决ALD方式的PERC太阳能电池在电注入或光注入后效率降低的方法，在现有工艺路线：制绒‑扩散‑刻蚀/背抛‑正面氮化硅膜沉积‑背面ALD方式氧化铝膜沉积‑背面氮化硅膜沉积(PECVD)‑激光开槽‑丝印印刷‑烧结基础上，在背面氮化硅膜沉积工序进行工艺变动，在氮化硅膜制作前，先利用笑气、氨气、硅烷在射频电离下制作一层折射率与背面氧化铝膜接近的氮氧化硅薄膜，然后采用正常工艺制作一层氮化硅膜，完成全部工序，测试电池片在电注入或光注入前后效率差异，发现经电注入或光注入后PERC电池片效率有0.05％‑0.1％的提升。

技术领域

本发明发明属于PERC太阳能电池生产技术领域，涉及ALD方式的PERC太阳能电池，尤其涉及一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法。

背景技术

目前ALD方式的PERC太阳能电池的主流工艺路线是：制绒-扩散-刻蚀/背抛-正面氮化硅膜沉积-背面ALD方式氧化铝膜沉积-背面氮化硅膜沉积(PECVD)-激光开槽-丝印印刷-烧结。特别提出的是，该工艺路线电池片背面保护膜是用PECVD方式制作的氮化硅膜，该氮化硅膜的折射率为2.0-2.2，与氧化铝膜折射率(约1.6)差异较大。在量产过程中发现该工艺路线制作的PERC电池存在一个缺陷，即电池片在电注入或光注入后，转换效率会降低0.1％左右，而行业PECVD方式制作氧化铝膜的PERC电池在经电注入或光注入后，效率都有0.05％左右提升。

发明内容

本发明提出了一种解决ALD方式的PERC太阳能电池在电注入或光注入后效率降低的方法，经电注入或光注入后PERC电池片效率有0.05％-0.1％的提升。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，所述方法包括以下步骤：

第1步：将背面ALD方式氧化铝膜沉积好的硅片插入石墨舟中，然后送入PECVD炉管中，抽真空，升温至工艺设定值；

第2步：在低压下通入笑气、氨气、硅烷，开启射频电源，时间60s-300s，完成氮氧化硅膜制作；

第3步：在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，时间600s-1000s，完成氮化硅膜制作；

第4步：抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺。

在本技术方案中，由于ALD方式的PERC太阳能电池经电注入或光注入后，转换效率绝对值会降低0.1％左右；本发明研究探索ALD方式的PERC太阳能电池经电注入或光注入后效率降低的机理，并提出解决方法；

本发明提出了一种解决ALD方式的PERC太阳能电池在电注入或光注入后效率降低的方法，在现有工艺路线：制绒-扩散-刻蚀/背抛-正面氮化硅膜沉积-背面ALD方式氧化铝膜沉积-背面氮化硅膜沉积(PECVD)-激光开槽-丝印印刷-烧结基础上，在背面氮化硅膜沉积工序进行工艺变动，在氮化硅膜制作前，先利用笑气、氨气、硅烷在射频电离下制作一层折射率与背面氧化铝膜接近的氮氧化硅薄膜，然后采用正常工艺制作一层氮化硅膜，完成全部工序，测试电池片在电注入或光注入前后效率差异，发现经电注入或光注入后PERC电池片效率有0.05％-0.1％的提升。

作为优选，第1步中，温度的工艺设定值为400-600℃。

作为优选，第2步中，压力为1300mT-1800mT，笑气的流量为2000-5000sccm，氨气的流量为2000-5000sccm，硅烷的流量为400-1000sccm，射频功率为4000W-10000W，时间为60s-300s。

作为优选，第3步中，压力为1300mT-1800mT，氨气的流量为5000-10000sccm，硅烷的流量为400-1000sccm，射频功率为4000W-10000W，时间为600s-1000s。