[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一半导体装置，其中该第一半导体装置包括：

一第一导电层，形成于一第一基板之上；

一第一蚀刻停止层，形成于该第一导电层之上，其中该第一蚀刻停止层直接接触该第一导电层；

一第一接合层，形成于该第一蚀刻停止层之上；

一第一接合导孔，穿过该第一接合层和该第一蚀刻停止层而形成，其中该第一接合导孔电性连接至该第一导电层；以及

一第一虚置垫，形成于该第一接合层中；

一第二半导体装置，其中该第二半导体装置包括：

一第二导电层，形成于一第二基板之上；

一第二蚀刻停止层，形成于该第二导电层之上，其中该第二蚀刻停止层直接接触该第二导电层；

一第二接合层，形成于该第二蚀刻停止层之上；以及

一第二接合导孔，穿过该第二接合层和该第二蚀刻停止层而形成，

其中该第二接合导孔电性连接至该第二导电层；

一第二虚置垫，形成于该第二接合层中；以及

一接合结构，位于该第一基板与该第二基板之间，其中该接合结构包括该第一接合导孔接合至该第二接合导孔以及该第一虚置垫接合至该第二虚置垫。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一半导体装置还包括一第一氧化物层位于该第一蚀刻停止层与该第一接合层之间，其中该第一接合导孔穿过该第一氧化物层。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一接合层具有一第一耐蚀刻性，该第一氧化物层具有一第二耐蚀刻性，且该第二耐蚀刻性大于该第一耐蚀刻性。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一接合导孔直接接触该第一导电层。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一金属阻挡结构，形成于该第一基板之上，其中该金属阻挡结构和该第一导电层位于相同水平高度。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一接合层和该第二接合层不是由氧化物制成。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一接合导孔具有一顶面和一底面，该底面比该顶面更靠近该第一基板，且该第一接合导孔的宽度从该顶面到该底面逐渐减少。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中当从上视角度观的，该第一虚置垫被该第一接合导孔围绕。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第一虚置垫的一第一侧壁表面与该第二虚置垫的一第二侧壁表面不对齐，且在该第一侧壁表面与该第二侧壁表面之间有一间隔。

10.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一晶体管装置，形成于该第一基板之上，其中该第一基板具有一第一表面和与该第一表面相反的一第二表面，且该晶体管装置形成于该第一表面之上；

多个网格结构，形成于该第一基板的该第二表面之上；

多个彩色滤光片，形成于该多个网格结构之上；以及

多个微透镜结构，形成于该多个彩色滤光片之上。