[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板上，第一蚀刻停止层形成于第一导电层上，且与第一导电层直接接触，第一接合层形成于第一蚀刻停止层上，以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成。第二半导体装置包含第二导电层和第二蚀刻停止层形成于第二基板上，第二接合层形成于第二蚀刻停止层上，以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成。接合结构位于第一基板与第二基板之间，且包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造，且特别有关于半导体装置的接合技术及其形成的结构。

背景技术

半导体装置用于各种电子产品的应用上，例如个人电脑、手机、数字数码相机和其他电子设备。半导体装置通常通过按序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料于半导体基底上，且使用光刻技术将各种材料层图案化，以形成电路组件和元件在半导体基底上。许多集成电路通常是在单一半导体晶圆上制造，且通过沿着切割道在集成电路之间进行切割，将晶圆上各自独立的晶粒分开。举例而言，在多芯片模块中，或者在其他种类的封装中，这些各自独立的晶粒通常分开封装。

影像感测器用于将聚焦于影像感测器上的光学影像转变为电性信号。影像感测器包含光线检测元件例如光电二极管的阵列，且光线检测元件配置为对应于照射在光线检测元件上的光线强度产生电性信号。电性信号用于显示相对应的影像在屏幕上，或提供关于光学影像的信息。

虽然目前的影像感测器装置结构及其形成方法通常已经足够用于其预期的目的，但是仍无法在全部方面完全地令人满意。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供半导体结构。此半导体结构包含第一半导体装置、第二半导体装置以及接合结构。第一半导体装置包含第一导电层形成于第一基板之上；第一蚀刻停止层形成于第一导电层之上，其中第一蚀刻停止层直接接触第一导电层；第一接合层形成于第一蚀刻停止层之上；以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一蚀刻停止层而形成，其中第一接合导孔电性连接至第一导电层。第二半导体装置包含第二导电层形成于第二基板之上；第二蚀刻停止层形成于第二导电层之上，其中第二蚀刻停止层直接接触第二导电层；第二接合层形成于第二蚀刻停止层之上；以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二蚀刻停止层而形成，其中第二接合导孔电性连接至第二导电层。接合结构位于第一基板与第二基板之间，其中接合结构包含第一接合导孔接合至第二接合导孔。

根据本发明的另一些实施例，提供半导体结构。此半导体结构包含影像感测器装置、逻辑电路装置以及混成接合结构。影像感测器装置包含第一基板，其中第一基板包含第一内连线区和像素区；光感测区形成于第一基板中的像素区内；第一氧化物层形成于光感测区下方；第一接合层形成于第一氧化物层下方；以及第一接合导孔穿过第一接合层和第一氧化物层而形成。逻辑电路装置形成于影像感测器装置下方，其中逻辑电路装置包含第二基板，其中第二基板包含第二内连线区和逻辑区；晶体管装置形成于第二基板之上；第二氧化物层形成于晶体管装置之上；第二接合层形成于第二氧化物层之上；以及第二接合导孔穿过第二接合层和第二内连线区内的第二氧化物层而形成。混成接合结构位于影像感测器装置与逻辑电路装置之间，且混成接合结构包括第一接合导孔接合至第二接合导孔。