[发明专利]半导体存储器件及其编程方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的编程方法，所述编程方法包括以下步骤：

在至少一个编程循环中，

将第一编程脉冲施加至第一存储器单元组；

将第二编程脉冲施加至第二存储器单元组，所述第二编程脉冲相比于所述第一编程脉冲具有更高的电压电平；以及

判断所述第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元，所述第一快单元具有高于验证电压的阈值电压，而所述第一慢单元具有低于所述验证电压的阈值电压，以及

在所述至少一个编程循环之后的编程循环中，

将所述第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一快单元；以及

将所述第二编程脉冲增加了所述步进电压的第四编程脉冲施加至所述第一存储器单元组中的所述第一慢单元以及施加至所述第二存储器单元组，

其中，相比于所述第一存储器单元组，所述第二存储器单元组被编程至更高的目标电压电平。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述第二存储器单元组包括分别被编程至不同的目标电压电平的多个单元。

3.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述验证电压是所述第一编程脉冲与所述第二编程脉冲之间的差值。

4.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述至少一个编程循环还包括以下步骤：

将第五编程脉冲施加至第三存储器单元组；以及

判断所述第二存储器单元组中的第二快单元和第二慢单元，以及

所述至少一个编程循环之后的编程循环还包括以下步骤：

将所述第五编程脉冲增加了所述步进电压的第六编程脉冲施加至所述第二存储器单元组中的所述第二慢单元以及施加至所述第三存储器单元组，

其中，所述第四编程脉冲被施加至所述第一存储器单元组中的所述第一慢单元和所述第二存储器单元组中的所述第二快单元。

5.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述验证电压低于所述第一存储器单元组的目标电压电平。

6.如权利要求1所述的编程方法，其中，如果所述第一存储器单元组中的至少一个单元已经达到所述第一存储器单元组的目标电压电平，则执行所述判断。

7.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述至少一个编程循环还包括：在所述第三编程脉冲被施加至所述第一快单元时，将验证电压作为偏置电压施加至与所述第一快单元耦接的位线。

8.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括与多个字线耦接的多个存储器单元；以及

外围电路，被配置成：在编程操作期间：

在至少一个编程循环中将第一编程脉冲施加至与所述多个字线之中选中的字线耦接的第一存储器单元组、将相比于所述第一编程脉冲而具有更高的电压电平的第二编程脉冲施加至与所述选中的字线耦接的第二存储器单元组、以及判断所述第一存储器单元组中的第一快单元和第一慢单元，所述第一快单元具有高于验证电压的阈值电压，而所述第一慢单元具有低于所述验证电压的阈值电压；以及

在所述至少一个编程循环之后的编程循环中，将所述第一编程脉冲增加了步进电压的第三编程脉冲施加至所述第一快单元、以及将所述第二编程脉冲增加了所述步进电压的第四编程脉冲施加至所述第一慢单元以及施加至所述第二存储器单元组，

其中，所述第二存储器单元组的目标电压电平高于所述第一存储器单元组的目标电压电平。

9.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述验证电压是所述第一编程脉冲与所述第二编程脉冲之间的差值。