[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括衬底、形成在衬底上的沟槽、形成在所述沟槽的底部的第一导电类型的补偿层、形成在补偿层上的第一氧化层、形成在第一氧化层上的引线层、形成在所述沟槽侧壁的至少一个具有第二导电类型的第一注入区及至少一个具有第一导电类型的第二注入区、第一电极及第二电极，所述第一注入区与所述第二注入区间隔设置，所述沟槽的侧壁的顶部为第二注入区，所述第一电极通过所述引线层与所述第一注入区电连接，所述第二电极与所述补偿层电连接。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述第二注入区与所述第一注入区的注入浓度从沿所述沟槽的底部到顶部的方向依次增大。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件还包括形成在所述第一注入区及所述第二注入区上的第二氧化层。

4.根据权利要求3所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件还包括形成在所述衬底上表面的第三氧化层，所述半导体器件的第一电极位于所述第二氧化层及所述第三氧化层上与所述引线层连接。

5.一种根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S1：提供一个衬底；

S2：在所述衬底上形成沟槽；

S3：在所述沟槽的底部注入第一导电类型的补偿层；

S4：在沟槽内形成第一氧化层；

S5：在所述第一氧化层上沉积一层引线层；

S6：在所述沟槽的侧壁注入第二导电类型形成第1个第一注入区；

S7：在所述沟槽的侧壁注入第一导电类型形成第1个第二注入区；

S8：重复步骤S6、S7形成第n个第一注入区及第n个第二注入区，每个所述第一注入区与相邻的所述第二注入区形成二极管，所述第n个第二注入区的导电类型为第一导电类型；

S9：在所述沟槽内形成第一电极且通过所述引线层与所述第一注入区电连接，第二电极与所述补偿层电连接。

6.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在所述步骤S4中，先将沟槽的内部表面氧化，再将沟槽的侧壁的氧化层去除，保留沟槽的底部的氧化层形成第一氧化层。

7.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在所述步骤S5之后，在所述引线层上沉积一层氧化层，回刻，再进入步骤S6。

8.根据权利要求7所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在步骤S6以后，每次注入之前均需沉积一层氧化层，回刻，再进入下一次注入。

9.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在形成第一注入区及第二注入区时，每次注入的浓度都大于前一次注入的浓度。

10.根据权利要求5所述的一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在所述步骤S9中，所述第一电极为栅极，所述第二电极为源极。