[发明专利]具有周围有基础绝缘结构的有源柱的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

有源图案，从衬底突出；以及

绝缘结构，围绕所述有源图案的下部部分且包括绝缘层以及在所述绝缘层上的掩埋绝缘图案，所述绝缘层与所述衬底的顶部表面以及所述有源图案的侧壁共形。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘层包括在所述衬底的所述顶部表面上的水平部分以及从所述水平部分延伸到所述有源图案的所述侧壁上的竖直部分，且其中所述掩埋绝缘图案定位于所述水平部分的顶部表面上以及所述竖直部分的侧壁上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述掩埋绝缘图案包括设置在所述有源图案之间的第一部分以及在所述有源图案外部的第二部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述掩埋绝缘图案的所述第一部分以及所述第二部分具有在实质上相同的水平高度处的顶部表面。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述掩埋绝缘图案的所述第一部分具有在比所述掩埋绝缘图案的所述第二部分的顶部表面高的水平高度处的顶部表面。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述绝缘层包括第一绝缘层，且其中所述绝缘结构还包括在所述掩埋绝缘图案的所述第二部分上的第二绝缘层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层并未设置在所述掩埋绝缘图案的所述第一部分上。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二绝缘层具有在与所述掩埋绝缘图案的所述第一部分的所述顶部表面实质上相同的水平高度处的顶部表面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括在所述衬底中且限定有源区的装置隔离层，其中所述有源图案定位于所述有源区上且其中所述绝缘结构覆盖所述装置隔离层。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述有源图案中的每一个包括：

第一源极/漏极，在所述有源图案中的每一个的下部部分处；

第二源极/漏极，在所述有源图案中的每一个的上部部分处；以及

沟道，在所述第一源极/漏极与所述第二源极/漏极之间。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括在所述绝缘结构上且围绕所述有源图案的栅极电极。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述有源图案沿着第一方向间隔开，且其中所述半导体装置还包括在所述绝缘结构上的栅极电极，所述栅极电极围绕所述有源图案且具有沿所述第一方向延伸的纵轴。

13.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，包含间隔开的第一区域以及在所述第一区域之间的第二区域；

第一有源图案，在所述第一区域中的第一个上从所述衬底突出；

第二有源图案，在所述第一区域中的第二个上从所述衬底突出；以及

绝缘结构，围绕所述第一有源图案的下部部分及所述第二有源图案的下部部分，且所述绝缘结构包括绝缘层以及在所述绝缘层上的掩埋绝缘图案，所述绝缘层与所述衬底的顶部表面以及所述第一有源图案的侧壁及所述第二有源图案的侧壁共形。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述绝缘层包括在所述衬底的所述顶部表面上的水平部分以及从所述水平部分延伸到所述第一有源图案的所述侧壁及所述第二有源图案的所述侧壁上的竖直部分，且其中所述掩埋绝缘图案定位于所述水平部分的顶部表面上以及所述竖直部分的侧壁上。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述掩埋绝缘图案包括在各个所述第一区域上的第一部分及在所述第二区域上的第二部分。