[发明专利]具有周围有基础绝缘结构的有源柱的半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。

相关申请案的交叉参考

本专利申请要求2017年8月18日提交的第10-2017-0104755号韩国专利申请案的优先权，所述申请案的全部内容在此以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明概念涉及半导体装置，且更确切地说，涉及包含装置隔离层的半导体装置。

背景技术

半导体装置可包含集成电路，所述集成电路包含金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)。随着半导体装置的大小及设计规则已减小，MOSFET的大小也已减小。MOSFET大小的减小可能导致短沟道效应，其可能使半导体装置的操作特性劣化。因此，已经对开发用于形成具有极佳效能同时克服因半导体装置的集成所致的局限性的半导体装置的技术进行了研究。

发明内容

本发明概念的一些实施例可提供具有增强的可靠性的半导体装置。

根据本发明概念的一些示例性实施例，半导体装置包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。

根据本发明概念的额外示例性实施例，半导体装置包含：衬底，其包含间隔开的第一区域及在第一区域之间的第二区域；第一有源图案，其在第一区域中的第一个上从衬底突出；第二有源图案，其在第一区域中的第二个上从衬底突出；以及绝缘结构，围绕第一有源图案的下部部分及第二有源图案的下部部分。绝缘结构包含与衬底的顶部表面以及第一有源图案及第二有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。

根据本发明概念的其它示例性实施例，半导体装置包含从衬底突出的柱形有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含第一绝缘层及在第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层包含在衬底的顶部表面上的水平部分及从水平部分延伸到有源图案的侧壁上的竖直部分。

附图说明

图1说明绘示根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的平面图；

图2A及图2B说明绘示根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的横截面图；

图3A及图3B说明绘示根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的横截面图；

图4A到图13A以及图4B到图13B说明绘示制造根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的方法的横截面图；

图14A、图14B、图15A以及图15B说明绘示制造根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的方法的横截面图；

图16说明绘示根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的平面图；

图17A及图17B说明绘示根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的横截面图；

图18A及图18B说明绘示根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的横截面图；

图19A到图24A以及图19B到图24B说明绘示制造根据本发明概念的示例性实施例的半导体装置的方法的横截面图。

附图标号说明

100、200：衬底；

102、202：装置隔离层；

110、210：有源图案；

120、220：下部绝缘结构；