[发明专利]抗坏血酸电致化学发光测定方法

权利要求书

1.一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是：首先在电极表面修饰金纳米团簇，通过还原法制备高量子产率金纳米团簇电致化学发光探针，并进一步在电极表面修饰二氧化锰纳米材料，将其作为电致化学发光猝灭剂，进而将修饰电极浸入含有抗坏血酸的样品中，抗坏血酸与二氧化锰发生氧化还原反应，采集修饰电极的电致化学发光信号，根据电致化学发光信号的改变实现抗坏血酸的测定。

2.根据权利要求1所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是所述还原法制备高量子产率金纳米团簇电致化学发光探针采用下述的电化学还原法或化学还原法制备：

（1）电化学还原法：采用三电极体系，以金纳米团簇修饰玻碳电极为工作电极，铂丝电极为对电极，Ag/AgCl为参比电极，将上述电极插入0.1 mol/L pH 7.4磷酸盐缓冲溶液中，施加-1.4 V~-2 V范围内负电位电压，进行恒电位还原处理5 min~1 h，得到电化学发光金纳米团簇探针；

（2）化学还原法：将金纳米团簇修饰玻碳电极浸泡在0.1~1 mol/L硼氢化钠溶液反应5min~30 min，得到化学还原法制备的金纳米团簇探针修饰电极。

3.根据权利要求1、2所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是所述金纳米团簇为功能化修饰金纳米团簇，采用N-乙酰化-L-半胱氨酸-金纳米团簇或牛血清白蛋白-金纳米团簇。

4.根据权利要求1所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是所述在电极表面修饰二氧化锰纳米材料的方法为电化学沉积法：采用三电极体系，以还原法处理金纳米团簇修饰电极为工作电极，铂丝电极为对电极，Ag/AgCl为参比电极，采用I-t法，在1:1 V/V的KMnO₄-H₂SO₄溶液中，电化学沉积二氧化锰，沉积电位为-0.1V~-0.5 V，时间为100 s~600 s，清洗，氮气吹干。

5.根据权利要求1所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是所述采集修饰电极的电致化学发光信号方法如下：采用三电极体系进行测试，以修饰电极为工作电极，铂丝电极为对电极，Ag/AgCl为参比电极，缓冲溶液为磷酸盐缓冲溶液或Tris-HCl缓冲溶液，所用电解质为KCl或KNO₃；将上述电极插入含有过硫酸根离子共反应剂的缓冲溶液中，采用阶跃脉冲法进行电化学发光测试，初始电位为0 V，脉冲时间为10 s，终止电位为-2 V，脉冲时间为1 s，光电倍增管高压设置为600~800 V，检测电致化学发光辐射信号。

6.根据权利要求1所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是所述抗坏血酸的样品的pH值为8.0；抗坏血酸与二氧化锰发生氧化还原反应的时间为4 min。

7.根据权利要求5所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是采集修饰电极的电致化学发光信号的磷酸盐缓冲溶液或Tris-HCl缓冲溶液的pH值为7.4，过硫酸根离子浓度为0.1 mol/L。

8.根据权利要求1所述的一种基于金纳米团簇探针的抗坏血酸电致化学发光测定方法，其特征是电致化学发光强度变化值与抗坏血酸浓度的对数值在1.0×10^-9~1.0×10^-2 mol/L的范围内呈良好的线性关系，检测限为2.56×10^-10 mol/L。