[发明专利]设于目标电路基板的预导电阵列、及其导电结构阵列

权利要求书

1.一种设于目标电路基板的预导电阵列，与阵列式微半导体结构配合应用，所述预导电阵列包括：

设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各所述导电电极群具有至少一对导电电极；

至少一导电粒子，于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上；

其中，所述至少一导电粒子、及其相对应的所述对导电电极，构成一预导电构造；所述预导电构造构成一预导电阵列；以及

至少一接触层，铺设于所述目标电路基板上，两两预导电构造之间具有所述接触层；

其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度；

其中，所述阵列式微半导体结构对应于所述目标电路基板的所述预导电阵列的部分或全部，各所述微半导体结构包括尺寸低于100微米的微电子器件或元件，并与所对应的所述目标电路基板的所述预导电阵列的所述预导电构造，共同形成一导电结构；

其中，所述导电粒子是位于所述接触层之中。

2.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：

所述导电电极群具有多对导电电极，且定义一第二间距于相邻两对导电电极之间，一第三间距于各所述对的两导电电极之间。

3.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：

一第三间距定义于各所述对的两导电电极之间。

4.如权利要求1所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：

各所述预导电构造包括多个导电粒子；所述导电粒子形成至少一预导电路径。

5.一种设于目标电路基板的预导电阵列，与阵列式微半导体结构配合应用，所述预导电阵列包括：

设于一目标电路基板的多组导电电极群；两两导电电极群之间定义一第一间距；各所述导电电极群具有一导电电极；

至少一导电粒子，于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上；以及

至少一接触层，铺设于所述目标电路基板；

其中，所述至少一导电粒子、及其相对应的所述导电电极，构成一预导电构造；所述预导电构造构成一预导电阵列，两两预导电构造之间具有所述接触层；

其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度；

其中，所述阵列式微半导体结构对应于所述目标电路基板的所述预导电阵列的部分或全部，各所述微半导体结构包括尺寸低于100微米的微电子器件或元件，并与所对应的所述目标电路基板的所述预导电阵列的所述预导电构造，共同形成一导电结构；

其中，所述导电粒子是位于所述接触层之中。

6.如权利要求5所述的目标电路基板的预导电阵列，其中：

各所述预导电构造包括多个导电粒子；所述导电粒子形成至少一预导电路径。

7.一种目标电路基板的预导电阵列，与阵列式微半导体结构配合应用，所述预导电阵列包括：

设于一目标电路基板的多个预导电构造；各所述预导电构造包括：

设于一目标电路基板上、且呈第一数量的多组导电电极群，各组导电电极群包括呈第二数量的至少一对导电电极；以及

定位于全部或部分的所述导电电极群的各所述导电电极上，且呈第三数量的至少一导电粒子；以及

至少一接触层，铺设于所述目标电路基板上，两两预导电构造之间具有所述接触层；

其中，各所述预导电构造定义有单位面积的导电粒子数的一第一密度，两两预导电构造之间定义有单位面积的导电粒子数的一第二密度，所述第一密度大于所述第二密度；

其中，所述阵列式微半导体结构对应于所述目标电路基板的所述预导电阵列的部分或全部，各所述微半导体结构包括尺寸低于100微米的微电子器件或元件，并与所对应的所述目标电路基板的所述预导电阵列的所述预导电构造，共同形成一导电结构；

其中，所述导电粒子是位于所述接触层之中。