[发明专利]包括通路插塞的半导体器件在审
| 申请号： | 201810895555.5 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110120381A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李义福;白宗玟;安商熏;吴赫祥 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中间绝缘层 通路控制 导电图案 绝缘层 半导体器件 通路插 蚀刻 区域形成 上绝缘层 下绝缘层 衬底 穿过 | ||
1.一种半导体器件，包括：
在衬底上的下绝缘层；
在所述下绝缘层中的导电图案；
在所述下绝缘层和所述导电图案上的中间绝缘层；
在所述中间绝缘层中的通路控制区域，所述通路控制区域具有比所述中间绝缘层低的蚀刻速率；
在所述中间绝缘层和所述通路控制区域上的上绝缘层；以及
穿过所述通路控制区域并且连接到所述导电图案的通路插塞。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述通路控制区域和所述中间绝缘层的顶表面基本上共平面。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述中间绝缘层包括低k电介质材料；以及
所述通路控制区域具有比所述中间绝缘层低的孔隙率。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述中间绝缘层包括SiOxCyH层；以及
所述通路控制区域包括SiOmCnH层，
其中x>0、y>0、m>0、n≥0、x<m且y>n。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述通路控制区域的底表面在比所述中间绝缘层的底表面高的水平处。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述通路控制区域的所述底表面与所述中间绝缘层接触。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述通路控制区域和所述中间绝缘层的底表面基本上共平面。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中：
所述下绝缘层的顶表面在比所述导电图案的顶端低的水平处；以及
所述中间绝缘层的底端在比所述导电图案的所述顶端低的水平处。
9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述下绝缘层与所述中间绝缘层之间的粘合层，其中：
所述通路插塞穿过所述粘合层；
所述中间绝缘层包括SiOxCyH层；以及
所述粘合层包括SiOmCnH层，
其中x>0、y>0、m>0、n≥0、x<m且y>n。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述中间绝缘层插置在所述通路控制区域与所述粘合层之间。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述通路插塞的侧表面与所述通路控制区域、所述中间绝缘层和所述粘合层接触。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述通路控制区域的底表面与所述粘合层接触。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述通路插塞的侧表面与所述通路控制区域和所述粘合层接触。
14.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述粘合层比所述中间绝缘层薄。
15.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述通路控制区域比所述粘合层厚。
16.如权利要求9所述的半导体器件，还包括在所述下绝缘层与所述粘合层之间的蚀刻停止层，所述蚀刻停止层相对于所述中间绝缘层和所述粘合层具有蚀刻选择性。
17.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述通路插塞的侧表面与所述通路控制区域、所述中间绝缘层、所述粘合层和所述蚀刻停止层接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810895555.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装
- 下一篇：半导体器件及形成方法
