[发明专利]非易失性存储器结构

权利要求书

1.一种非易失性存储器结构，包括：

基底；以及

多个存储单元，至少包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元与第四存储单元，其中所述第二存储单元与所述第三存储单元位于所述第一存储单元的一侧，所述第四存储单元位于所述第一存储单元的另一侧，

每个存储单元包括彼此分离设置在所述基底中的第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区，

所述第一存储单元与所述第二存储单元共享所述第一阱区，

所述第一存储单元与所述第三存储单元共享所述第一掺杂区，且

所述第一存储单元与所述第四存储单元共享所述第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器结构，其中每个存储单元还包括：

第二阱区，设置在所述基底中，其中所述第二阱区与所述第一阱区彼此分离；

浮置栅极，设置在所述基底上，且覆盖部分所述第一阱区与部分所述第二阱区，其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区分别位于所述浮置栅极的一侧与另一侧的所述第二阱区中；以及

介电层，设置在所述浮置栅极与所述基底之间。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其中所述第一存储单元与所述第二存储单元所共享的所述第一阱区从所述第一存储单元的所述浮置栅极下方延伸至所述第二存储单元的所述浮置栅极下方。

4.如权利要求3所述的非易失性存储器结构，其中所述第一阱区与所述浮置栅极的一侧相交，且所述第一阱区与所述浮置栅极的另一侧不相交。

5.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其中所述第一阱区、所述第一掺杂区与所述第二掺杂区具有第一导电型，且所述第二阱区具有第二导电型。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器结构，其中每个存储单元还包括第三掺杂区，所述第三掺杂区设置在所述浮置栅极的一侧的所述第一阱区中且具有所述第一导电型，且所述第一存储单元与所述第二存储单元共享所述第三掺杂区。

7.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其中所述第一存储单元的所述浮置栅极与所述第二存储单元的所述浮置栅极位于不同的所述第二阱区上方。

8.如权利要求2所述的非易失性存储器结构，其中所述第一存储单元的所述浮置栅极、所述第三存储单元的所述浮置栅极与所述第四存储单元的所述浮置栅极位于相同的所述第二阱区上方。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器结构，其中所述第一存储单元与所述第二存储单元为错位排列，且所述第一存储单元与所述第三存储单元为错位排列。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器结构，其中所述第一存储单元与所述第四存储单元为镜像对称。