[发明专利]非易失性存储器结构

说明书

一种非易失性存储器结构，包括基底与多个存储单元。多个存储单元至少包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元与第四存储单元。第二存储单元与第三存储单元位于第一存储单元的一侧，且第四存储单元位于第一存储单元的另一侧。每个存储单元包括彼此分离设置在基底中的第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一存储单元与第二存储单元共享第一阱区。第一存储单元与第三存储单元共享第一掺杂区。第一存储单元与第四存储单元共享第二掺杂区。

技术领域

本发明涉及一种存储器结构，且特别涉及一种非易失性存储器结构。

背景技术

由于非易失性存储器(non-volatile memory)可进行多次数据的存入、读取与擦除等操作，且具有当电源供应中断时，所储存的数据不会消失、数据访问时间短以及低消耗功率等优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器。

然而，在非易失性存储器元件的积集度不断提升的情况下，如何有效地缩小存储单元的面积以及增加元件密度为目前业界持续努力的目标。

发明内容

本发明提供一种非易失性存储器结构，其可有效地缩小存储单元面积且增加元件密度。

本发明提出一种非易失性存储器结构，包括基底与多个存储单元。多个存储单元至少包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元与第四存储单元。第二存储单元与第三存储单元位于第一存储单元的一侧，且第四存储单元位于第一存储单元的另一侧。每个存储单元包括彼此分离设置在基底中的第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区。第一存储单元与第二存储单元共享第一阱区。第一存储单元与第三存储单元共享第一掺杂区。第一存储单元与第四存储单元共享第二掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，每个存储单元还可包括第二阱区、浮置栅极与介电层。第二阱区设置在基底中。第二阱区与第一阱区彼此分离。浮置栅极设置在基底上，且覆盖部分第一阱区与部分第二阱区。第一掺杂区与第二掺杂区分别可位于浮置栅极的一侧与另一侧的第二阱区中。介电层设置在浮置栅极与基底之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一存储单元与第二存储单元所共享的第一阱区可从第一存储单元的浮置栅极下方延伸至第二存储单元的浮置栅极下方。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一阱区与浮置栅极的一侧可相交，且第一阱区与浮置栅极的另一侧可不相交。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一阱区、第一掺杂区与第二掺杂区可具有第一导电型，且第二阱区可具有第二导电型。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，每个存储单元还可包括第三掺杂区。第三掺杂区设置在浮置栅极的一侧的第一阱区中。第三掺杂区可具有第一导电型。第一存储单元与第二存储单元可共享第三掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一存储单元的浮置栅极与第二存储单元的浮置栅极可位于不同的第二阱区上方。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一存储单元的浮置栅极、第三存储单元的浮置栅极与第四存储单元的浮置栅极可位于相同的第二阱区上方。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一存储单元与第二存储单元可为错位排列，且第一存储单元与第三存储单元可为错位排列。

依照本发明的一实施例所述，在上述非易失性存储器结构中，第一存储单元与第四存储单元可为镜像对称。

基于上述，在本发明所提出的非易失性存储器结构中，第一存储单元与第二存储单元共享第一阱区，第一存储单元与第三存储单元共享第一掺杂区，且第一存储单元与第四存储单元共享第二掺杂区，通过此布局设计可有效地缩小存储单元面积且增加元件密度。