[发明专利]一种超低损耗的铁硅铝磁芯及其制备方法

说明书

本发明提供的一种超低损耗的铁硅铝磁芯，其含量为9％～9.8％的Si，5.5％～6％的Al，余量为Fe；上述超低损耗的铁硅铝磁芯的制备方法，包括真空熔炼、气雾化制粉、粉末退火、粒度选择、绝缘处理、二次绝缘、压制成型、热处理、涂装等步骤。依照本发明制备的铁硅铝磁芯具有更低的损耗以及更好的直流偏置能力，可以有效地满足更高性能电子器件的要求。

技术领域

本发明涉及软磁材料的制造方法，特别涉及超低损耗的铁硅铝磁芯制备方法。

背景技术

电子技术的发展对电子器件的高频化、高功率密度化、小型化及抗电磁干扰的要求更加突出，这就要求其核心材料向更低损耗、更高的直流偏置能力、优良的频率特性以及更好的温度稳定性方向发展。铁硅铝粉末材料具有低磁致伸缩能力，优良的宽频以及温度特性。

传统的铁硅铝粉末以破碎法为主，其制备方法成熟，成本较低，损耗较低，直流偏置能力良好。而气雾化铁硅铝粉末材料具有更低的损耗，以及更好的直流偏置能力，可以有效地满足更高性能电子器件的要求。

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种超低损耗的铁硅铝磁芯，以满足在磁导率较高的情况下损耗较低；本发明所要解决的第二个技术问题是提供上述超低损耗的铁硅铝磁芯的制备方法。

本发明解决上述第一个技术问题所采用的技术方案如下：

本发明所述的一种超低损耗的铁硅铝磁芯，由以下组分组成：

铁硅铝粉末，其中Si的含量为9％～9.8％，Al的含量为5.5％～6％，余量为Fe。

优选的，铁硅铝粉末含量为84.4％的Fe，9.6％的Si，6％的Al。

本发明所述的一种超低损耗的铁硅铝磁芯的制备方法，包括以下步骤：

S1，真空熔炼：将9％～9.8％的Si，5.5％～6％的Al，余量为Fe的铁硅铝粉末进行真空熔炼；

S2，气雾化制粉：在氮气中进行气雾化喷粉方式制粉；

S3，粒度选择：用筛网进行粒度选择，粒度分布在-180至200目；

S4，粉末退火：在730℃的氮气中进行退火，退火时间为1～1.5小时；

S5，绝缘处理：过筛后的铁硅铝粉末加热至50至70℃，加入磷酸溶液，搅拌均匀后升温至180至220℃，直至干燥；

S6，二次绝缘：加入液体硅树脂溶液，搅拌均匀，加热至140～150℃，持续搅拌直至干燥；

S6，压制成型：用压力为15～20t/cm²的压机压制成型；

S7，热处理：在730℃氮气中烧结；

S8，涂装：用环氧树脂漆涂覆在铁硅铝软磁材料表面。

优选的，S1中铁硅铝粉末含量为84.4％Fe，9.6％Si，6％Al。

优选的，S4中退火时间为30～45min。

优选的，S5中的磷酸溶液比例为5.5wt％～8.0wt％。

优选的，S6的液体硅树脂溶液浓度为1.3wt％～2.1wt％。

优选的，S8中的烧结时间为30～45min。

本发明同现有技术相比具有以下优点及效果：

以本说明书制备的铁硅铝磁芯具有更低的损耗以及更好的直流偏置能力，可以有效地满足更高性能电子器件的要求。

具体实施方式