[发明专利]RPVD绿色镀膜工艺有效
申请号: | 201810897720.0 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN108914069B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 卢小伟 | 申请(专利权)人: | 宁波威霖住宅设施有限公司 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 315722 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | rpvd 绿色 镀膜 工艺 | ||
1.一种RPVD绿色镀膜工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、对金属基体进行抛光或拉丝;
步骤二、对金属基体进行除蜡、除油、除锈清洗;
步骤三、将清洗后的工件转入真空炉内,抽气至本底真空后进行辉光清洗或离子源清洗,然后依次采用离子镀沉积第一金属铬层,采用中频磁控溅射沉积第二金属铬层,采用中频磁控溅射沉积CrMe层,采用中频反应溅射沉积CrC/MeC层,其中,Me为Ti、Al、Si中的一种或几种,处理的总时间小于60min, 成膜厚度为0.2-0.4um;
在步骤三中,辉光清洗后,将真空炉腔体回抽至本底真空,再通入惰性气体,使真空度达到0.1~1.0Pa,然后采用离子镀沉积第一金属铬层,沉积时间为1min~5min,靶电流为40A~120A,偏压50-300V,占空比40%~80%,偏压电流为0.1~15.0A;再采用中频磁控溅射沉积第二金属铬层,沉积时间为1min-5min,靶电流为10A~40A,偏压50-300V,占空比40%~80%,偏压电流为0.1~5.0A;
在步骤三中,第二金属铬层沉积后沉积CrMe层2min~10min,真空度为0.1~1.0Pa,靶电流在5A~40A,偏压50-300V,占空比40%~80%,偏压电流在0.1~5.0A;
在步骤三中,CrMe层沉积后回抽至本底真空,再通入氩气和乙炔的混合气体,使真空度达到0.1~1.0Pa,然后沉积CrC/MeC层15-30min,靶电流为5A~30A,偏压50-300V,占空比40%~80%,偏压电流为0.1~5.0A,氩气流量为10-300sccm,乙炔流量为10-400sccm,其中的乙炔流量按一定梯度逐渐增加;
腔体内氩气的流量保持不变而乙炔的流量以若干个梯度增加,每个梯度保持预定的时间,乙炔以5-20sccm为梯度增加;
步骤四、沉积完成后,关闭系统,待炉内降温至100℃以下后通入空气,开炉腔门,将工件出炉;
步骤五、工件出炉降温至室温后,对工件表面进行喷透明漆/粉处理。
2.如权利要求1所述的RPVD绿色镀膜工艺,其特征在于,在步骤三中进行清洗操作时,先将真空炉内抽气至本体真空,真空度为5.0~8.0×10-3Pa,随后通入惰性气体,在真空度达到1.0Pa~3.0Pa时开启偏压电源对工件表面进行辉光清洗或离子源清洗,辉光清洗时的偏压为500-1500V,占空比为40%~80%,电流为0.1~1.0A。
3.如权利要求1所述的RPVD绿色镀膜工艺,其特征在于,在步骤三中,沉积第一金属铬层采用圆柱电弧铬靶,沉积第二金属铬层采用管状磁控铬靶,沉积CrMe层和CrC/MeC层均采用管状磁控CrMe靶。
4.如权利要求1所述的RPVD绿色镀膜工艺,其特征在于,成膜厚度为0.3um。
5.如权利要求1所述的RPVD绿色镀膜工艺,其特征在于,步骤五中,透明漆选自PU漆、UV漆或者热固化漆中的一种,透明粉末选用热固性粉末。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波威霖住宅设施有限公司,未经宁波威霖住宅设施有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810897720.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:坩埚和蒸镀装置
- 下一篇:一种CIGS电极用钛铝合金复合靶材材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类