[发明专利]基于(Inx

权利要求书

1.一种基于(In_xGa_1-x)₂O₃的双波段紫外光电器件的制备方法，其特征在于，包括：

选取衬底；

在所述衬底上表面生长(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层；

在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极；其中，所述叉指电极为非对称结构，包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分，

在所述衬底上表面生长(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层，包括：

利用磁控共溅射法在所述衬底的上表面溅射厚度为300±5nm的(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层；

所述磁控共溅射法采用的设备包括：溅射腔室(4)、射频电源(5)、两个靶材容器(6)、两个靶材挡板(7)、溅射气体进气口(8)、抽气管道(9)、基片挡板(10)、衬底托盘(11)、衬底加热盘(12)和旋转机(13)，其中，所述射频电源(5)穿过所述溅射腔室(4)连接至所述靶材容器(6)，用于为溅射靶材提供电源，所述靶材容器(6)包括对称分别放置Ga₂O₃和In₂O₃靶材的两个靶材容器，两个所述靶材挡板(7)分别设置在两个所述靶材容器(6)的上方，所述溅射气体进气口(8)包括多个气体管道，分别通入不同的气体，所述抽气管道(9)连接至真空系统，用于对所述溅射腔室(4)进行抽真空，所述旋转机(13)安装在所述溅射腔室(4)的上表面，下端依次连接所述衬底加热盘(12)和所述衬底托盘(11)，能够使得所述衬底加热盘(12)和所述衬底托盘(11)同时旋转；

所述Ga₂O₃材料的溅射功率为100W，所述In₂O₃材料的溅射功率为50-90W，生成的(In_xGa_1-x)₂O₃中x的取值范围是0.58-0.76，以使(In_xGa_1-x)₂O₃发生相的分离，产生两个光学带隙。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，选取衬底，包括：

选取双面抛光、厚度为200-600μm的c面蓝宝石作为衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用磁控共溅射法在所述衬底的上表面溅射厚度为300±5nm的(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层，包括：

选用质量百分比纯度大于99.99％的Ga₂O₃材料和质量比纯度大于99.99％的In₂O₃材料作为溅射靶材；

以质量百分比纯度为99.999％的氩气和质量百分比纯度为99.999％的氧气作为溅射气体通入溅射腔；

在真空度为4×10^-4Pa、氩气流量为20cm³/s、氧气流量为5cm³/s、靶材基距为5cm、衬底温度为610±5℃的条件下，利用磁控共溅射方法在所述衬底的上表面溅射1h；

在750±5℃温度条件下原位退火2h，形成(In_xGa_1-x)₂O₃紫外光吸收层。