[发明专利]基于(Inx

说明书

本发明涉及一种基于(In_xGa_1‑x)₂O₃的双波段紫外光电器件及其制备方法，所述方法包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(In_xGa_1‑x)₂O₃材料形成紫外光吸收层；在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。所述器件包括衬底层、(In_xGa_1‑x)₂O₃紫外光吸收层以及叉指电极，其中，所述叉指电极为非对称结构，包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分。该基于(In_xGa_1‑x)₂O₃的双波段紫外光电器件在高In组份的情况下，(In_xGa_1‑x)₂O₃会发生相的分离，产生两个光学带隙，从而对两个紫外光谱范围产生感应，并且具有自供电特性。

技术领域

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于(In_xGa_1-x)₂O₃的双波段紫外光电器件及其制备方法。

背景技术

紫外光是指波长在400nm以下的电磁辐射，太阳光中就含有紫外光，能到达地球表面的主要是近紫外光(300-400nm)。深紫外光(300nm以下)由于大气层中臭氧的强烈吸收很难到达地球表面，但它却存在于其它辐射源如电弧、导弹羽烟中。紫外探测器在军事、医药、环境监测等领域都有着广泛的应用，其中针对特定波段选择响应的紫外探测器尤为引人注目。由于不受可见光及其它波段紫外光的干扰，这类探测器往往对探测目标具有很高的针对性。

目前，大部分紫外光电探测器只能探测比较单一的光谱响应范围内的信号，然而，用于光波分复用技术、多光谱测量仪表以及激光警告等都需要能同时检测多个光谱响应范围内的光信号，因此发展多光谱响应范围的紫外光电探测器对未来探测多波段信号具有很重要的意义。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于 (In_xGa_1-x)₂O₃的双波段紫外光电器件及其制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明的一个方面提供了一种基于(In_xGa_1-x)₂O₃的双波段紫外光电器件的制备方法，所述方法包括：

选取衬底；

在所述衬底上表面生长(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层；

在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。

在本发明的一个实施例中，选取衬底，包括：

选取双面抛光、厚度为200-600μm的c面蓝宝石作为衬底。

在本发明的一个实施例中，在所述衬底上表面生长(In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层，包括：

利用磁控共溅射法在所述衬底的上表面溅射厚度为300±5nm的 (In_xGa_1-x)₂O₃材料形成紫外光吸收层。