[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置，其第一载置台(2)由第一部件(20)、片部件(21)和第二部件(22)构成。第一部件(20)在与载置晶片(W)的载置面(2a)相反的背面侧的与载置面(2a)对应的范围内形成有凹部(24)。片部件(21)形成为片状，设置有加热件(21c)和对该加热件(21c)供给电力的引出配线(21d)。片部件(21)以加热件(21c)位于凹部(24)的内部的与载置面(2a)对应的区域，引出配线(21d)位于凹部(24)的侧面的方式配置在凹部(24)内。第二部件(22)与配置了片部件(21)的凹部(24)嵌合。由此，能够抑制对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性的降低。

技术领域

本发明的各个方面和实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术

一直以来，已知有对半导体晶片等的被处理体使用等离子体进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。这样的等离子体处理装置，为了高精度地进行被处理体的温度控制，在载置被处理体的载置台的内部埋入有温度调节用的加热件。加热件需要供给电力。因此，在等离子体处理装置中，在载置台的外周区域设置供电端子，从供电端子向加热件供给电力(例如参照下述专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-1688号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，在载置台的外周区域设置供电端子的情况下，由于在载置被处理体的载置区域的外侧配置供电端子，因此载置台的径向的尺寸变大。等离子体处理装置中，在被处理体的载置区域的周围配置聚焦环，但是，当载置台的径向的尺寸变大时，聚焦环和设置有供电端子的外周区域的重叠部分变大，聚焦环的径向的温度分布容易产生不均匀。另外，为了在载置台设置供电端子，需要形成用于使供电端子从载置台的背面通过的贯通孔，形成有该贯通孔的部分成为使来自被处理体的热传导局部地变差，热的均匀性降低的不同部分。由此，被处理体的周向上的温度分布容易产生不均匀。等离子体处理装置中，当被处理体或聚焦环的温度分布产生不均匀时，对被处理体进行的等离子体处理的面内均匀性降低。

用于解决问题的技术方案

公开的等离子体处理装置在一个实施方式中，包括第一部件、片部件和第二部件。第一部件在与载置面相反的背面侧的与载置面对应的范围内形成有凹部，其中，载置面用于载置作为等离子体处理对象的被处理体。片部件形成为片状，且设置有加热件和用于对该加热件供给电力的引出配线，片部件以加热件位于凹部的内部的与载置面对应的区域且引出配线位于凹部的侧面的方式配置在凹部内。第二部件与配置了片部件的凹部嵌合。

发明的效果

根据公开的等离子体处理装置的一个实施方式，起到能够对被处理体的等离子体处理的面内均匀性的降低进行抑制的效果。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理装置的概略结构的一个例子的概略截面图。

图2是表示第一载置台和第二载置台的要部结构的一个例子的概略截面图。

图3是表示片部件的要部结构的一个例子的概略平面图。

图4是表示配置有加热件的区域的一个例子的概略平面图。

图5是表示片部件的截面的一个例子的概略截面图。

图6是表示第二部件的要部结构的一个例子的概略立体图。

附图标记说明

1 处理容器

2 第一载置台

2a 载置面

4 RF板