[发明专利]一种高阻膜及其制备工艺和应用在审
申请号: | 201810902043.7 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109280886A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 肖亮灿;石洁 | 申请(专利权)人: | 滁州盛诺电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 合肥维可专利代理事务所(普通合伙) 34135 | 代理人: | 吴明华 |
地址: | 239064 安徽省滁州市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高阻 抗静电作用 制备工艺 透光率 氧化锡 氧化锌靶材 可见光 触控功能 镀膜工艺 附着力强 高透过率 退火工艺 影响器件 高纯度 膜应用 透光性 氧化锌 氧化铝 靶材 镀膜 屏蔽 显示屏 匹配 应用 加工 | ||
1.一种高阻膜,其特征在于,由以下组分组成:氧化锌、氧化锡和氧化铝。
2.根据权利要求1所述的一种高阻膜,其特征在于:所述氧化锌、氧化锡和氧化铝的质量比为4-5:2-3:1-2。
3.一种高阻膜,其特征在于,由以下组分组成:氧化锌、氧化锡、氧化铝、表面活性剂和交联剂。
4.根据权利要求3所述的一种高阻膜,其特征在于,以质量份计,由以下组分组成:氧化锌80-90份、氧化锡40-60份、氧化铝10-20份、表面活性剂10-15份和交联剂5-15份。
5.根据权利要求3所述的一种高阻膜,其特征在于,以质量份计,由以下组分组成:氧化锌85份、氧化锡45份、氧化铝15份、表面活性剂12份和交联剂8份。
6.根据权利要求1或2所述的一种高阻膜,其特征在于:所述高阻膜通过真空溅射法设于玻璃基板上,包括第一层薄膜和第二层薄膜,所述第一层薄膜为氧化锌和氧化铝膜层,所述第二层薄镀膜为氧化锡膜层。
7.根据权利要求5所述的一种高阻膜,其特征在于:所述第一层薄膜的厚度为5nm-30nm;所述第一层薄膜的厚度为2nm-10nm。
8.基于权利要求1或2所述的一种高阻膜的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
采用纯度为99.99%氧化锡靶材,在50-200℃的玻璃基板上,通过溅射法真空镀镀10-30分钟,形成厚度为2nm-10nm的薄膜;
取质量比为4-5:1-2的氧化锌和氧化铝混合纳米级靶材,在50-200℃的玻璃基板上,通过溅射法真空镀10-30分钟,形成厚度为5nm-30nm的薄膜。
9.根据权利要求7所述的一种高阻膜的制备工艺,其特征在于,溅射法真空镀的真空条件为100-200℃;传动速度为0.5-1.5m/min;沉积速度为10-30nm/min。
10.根据权利要求7所述的一种高阻膜的制备工艺,其特征在于,溅射法真空镀采用的工艺气体为:Ar:300-600Hccm;O2:50-100Hccm;N2:20-100Hccm。
11.基于权利要求1或2所述的一种高阻膜的应用,其特征在于,所述高阻膜被应用于液晶显示屏上。
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