[发明专利]一种高阻膜及其制备工艺和应用

说明书

本发明公开了一种高阻膜，由以下组分组成：氧化锌、氧化锡和氧化铝。本发明公开了一种高阻膜的加工方法和应用。本发明的一种高阻膜，具备抗静电作用，在可见光范围内，具备高透过率，透光率可达到98.5％。该一种高阻膜应用于FPD显示屏上，起到抗静电作用，具备良好的透光性，且不产生屏蔽，不影响器件的触控功能。本发明的一种高阻膜的制备工艺，选用高纯度4N级氧化锡靶材与氧化锌靶材进行镀膜匹配，并使用特殊的镀膜工艺及特殊的退火工艺，得到发明的一种高阻膜，透光率高，附着力强。

技术领域

本发明涉及显示技术应用领域，特别涉及一种高阻膜及其制备工艺和应用。

背景技术

氧化锌材料熔点高达1975℃，具有良好的热学及一定的化学稳定性。纳米级的氧化锌薄膜是一种宽禁带直接带隙半导体材料。在可见光范围(400nm～800nm)内，透过率可高达90％以上。由于氧化锌薄膜中存在本征施主缺陷，如间隙锌原子，氧原子空位，使氧化锌薄膜显现极弱的n型半导体性能，电阻率较高。

为了提高氧化锌薄膜的导电性能，传统方法是对氧化锌进行掺杂，最常用的是掺杂氧化铝，形成氧化锌薄膜。由于铝的原子半径比锌大，掺杂导致氧化锌晶格畸变较大，同时，铝的活跃性使氧化锌在高温下，其氧空位因铝的氧化而消失，从而影响了掺杂效率，导电性得不到有效提高。因此，铝的掺杂须在合适的较低温度下进行才能形成合适的电导率，同时不影响薄膜的光学及其性能。

不同比例，不同工艺条件的掺杂使氧化锌具备有不同的光电性能。要获得特殊电光应用性能的膜材料，在氧化锌膜的基础上，可以设计辅助性的膜与氧化锌膜进行匹配。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种高阻膜及其制备工艺和应用，该高阻膜层用于FPD液晶显示屏上，起到抗静电作用，具备良好的透光性，且不产生屏蔽，不影响器件的触控功能。

为了实现上述目的，本发明提供了以下的技术方案：一种高阻膜，由以下组分组成：氧化锌、氧化锡和氧化铝。

一种高阻膜，所述氧化锌、氧化锡和氧化铝的质量比为4-5:2-3:1-2。

一种高阻膜，由以下组分组成：氧化锌、氧化锡、氧化铝、表面活性剂和交联剂。

作为上述方案的进一步优化，一种高阻膜，以质量份计，由以下组分组成：氧化锌80-90份、氧化锡40-60份、氧化铝10-20份、表面活性剂10-15份和交联剂5-15 份。

作为上述方案的进一步优化，一种高阻膜，以质量份计，由以下组分组成：氧化锌85份、氧化锡45份、氧化铝15份、表面活性剂12份和交联剂8份。

作为上述方案的进一步优化，一种高阻膜，以质量份计，所述高阻膜通过真空溅射法设于玻璃基板上，包括第一层薄膜和第二层薄膜，所述第一层薄膜为氧化锌和氧化铝膜层，所述第二层薄镀膜为氧化锡膜层。

作为上述方案的进一步优化，一种高阻膜，以质量份计，所述第一层薄膜的厚度为5nm-30nm；所述第一层薄膜的厚度为2nm-10nm。

一种高阻膜的制备工艺，包括如下步骤：

采用纯度为99.99％氧化锡靶材，在50-200℃的玻璃基板上，通过溅射法真空镀镀10-30分钟，形成厚度为2nm-10nm的薄膜；

取质量比为4-5:1-2的氧化锌和氧化铝混合纳米级靶材，在50-200℃的玻璃基板上，通过溅射法真空镀10-30分钟，形成厚度为5nm-30nm的薄膜。

作为上述方案的进一步优化，溅射法真空镀的真空条件为100-200℃；传动速度为0.5-1.5m/min；沉积速度为10-30nm/min。

作为上述方案的进一步优化，溅射法真空镀采用的工艺气体为：Ar:300-600Hccm；O2:50-100Hccm；N2:20-100Hccm。