[发明专利]绝缘体上硅材质输液滤膜及其制备方法、过滤器和输液器

权利要求书

1.一种绝缘体上硅材质输液滤膜，其特征在于，它包括本体，所述本体由绝缘体上硅材料制成，所述本体包括底层本体硅、氧化硅掩埋中间层和顶层硅，所述底层本体硅制备成栅格支撑体（86），顶层硅制备成滤膜（87），氧化硅掩埋中间层和顶层硅上设置有多个由顶层硅贯通至氧化硅掩埋中间层的滤孔，所述滤孔的孔径为0.2微米~5微米，滤孔的深度为1微米~50微米。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅材质输液滤膜，其特征在于：所述栅格支撑体（86）的栅格图形边长为0.05毫米至2毫米；和/或所述本体的总厚度为100微米~450微米。

3.一种如权利要求1或2所述的绝缘体上硅材质输液滤膜的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：

S1：取绝缘体上硅材料的晶圆，采用该晶圆将底层本体硅制备成栅格支撑体（86），形成带有栅格支撑体（86）的半成品；

S2：在半成品上，将顶层硅制备成带有滤孔的滤膜；

S3：将栅格支撑体（86）和滤膜（87）之间的氧化硅掩埋中间层上相应的滤孔对应的部分去除，形成完整的滤孔。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤S1具体为：

取绝缘体上硅材料制成的双面抛光晶圆，并在双面抛光单晶硅的底层本体硅的底面沉积抗刻蚀薄膜；

对抗刻蚀薄膜开窗，进行图形化处理，得到图形化薄膜；

经过开窗的图形化薄膜作为刻蚀掩膜，然后对双面抛光单晶硅进行刻蚀，双面抛光单晶硅刻蚀后为带有栅格支撑体（86）的半成品；其中，刻蚀的深度控制至氧化硅掩埋中间层为止。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤S2具体为：

在半成品的顶层硅的顶面涂覆光刻胶；

对光刻胶进行光刻，曝光及显影后得到用于刻蚀滤孔的光刻胶掩模图形；

光刻胶掩模图形作为刻蚀掩膜，然后对顶层硅进行刻蚀，形成带有滤孔的滤膜（87）。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：方法还包括步骤S3：在滤膜（87）和栅格支撑体（86）的表面沉积氧化硅薄膜，然后对沉积了氧化硅薄膜的滤膜（87）和栅格支撑体（86）的表面通过化学方法进行正电荷处理。

7.一种过滤器，其特征在于：它包括：

如权利要求1或2所述的绝缘体上硅材质输液滤膜（83）；

壳体（85），所述绝缘体上硅材质输液滤膜（83）设置在壳体（85）内，并且所述壳体（85）被所述绝缘体上硅材质输液滤膜（83）分隔为进液腔和出液腔；

输液进口（81），所述输液进口（81）连接在壳体（85）上，并且所述输液进口（81）与所述进液腔相连通；

滤液出口（84），所述滤液出口（84）连接在壳体（85）上，并且所述滤液出口（81）与所述出液腔相连通。

8.根据权利要求7所述的过滤器，其特征在于：它还包括过滤排气口（82），所述过滤排气口（82）连接在壳体（85）上，并且所述过滤排气口（82）与所述出液腔相连通。

9.一种输液器，其特征在于，它包括：

如权利要求7至8中任一项所述的过滤器；

导管（5），所述导管（5）的一端与过滤器（8）的滤液出口（84）相连通；

滴速管（4），所述滴速管（4）的一端与所述导管（5）的另一端相连通；

穿刺组件，所述穿刺组件连接在滴速管（4）上；

速度调节器（7），所述速度调节器（7）设置在导管（5）上。

10.根据权利要求9所述的输液器，其特征在于：它还包括三通件，所述三通件的进口与过滤器（8）的滤液出口（84）相连通，所述三通件的一分口与导管（5）的一端相连通，所述三通件的另一分口为加注口（6）。