[发明专利]基片处理方法、存储介质和基片处理系统在审
申请号: | 201810902225.4 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN109390254A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 束野宪人;五师源太郎;增住拓朗;清濑浩巳;福井祥吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理液 液膜 基片处理 供给停止 液量 基片处理系统 存储介质 调整步骤 覆盖 | ||
1.一种基片处理方法,其特征在于,包括:
一边使基片以第一转速旋转一边向所述基片的表面供给处理液,形成覆盖所述基片的表面的所述处理液的液膜的液膜形成步骤;
在所述液膜形成步骤之后,使所述基片的转速成为所述第一转速以下的转速,并且停止向所述基片供给所述处理液的供给停止步骤;和
在所述供给停止步骤之后,使所述基片的转速成为比所述第一转速大的第二转速,减少形成所述液膜的所述处理液的液量的液量调整步骤。
2.如权利要求1所述的基片处理方法,其特征在于:
在所述供给停止步骤中,停止所述基片的旋转。
3.如权利要求2所述的基片处理方法,其特征在于:
在所述供给停止步骤中,在使所述基片的旋转停止之后,停止所述处理液的供给。
4.如权利要求1所述的基片处理方法,其特征在于:
在所述供给停止步骤中,使所述基片以所述第一转速以下的转速旋转。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基片处理方法,其特征在于:
在所述液量调整步骤中,在从使所述基片的转速增大起经过规定时间后停止所述基片的旋转。
6.如权利要求1~4中任一项所述的基片处理方法,其特征在于:
还包括一边使所述基片旋转一边向所述基片的周缘部供给所述处理液的周缘供给步骤。
7.如权利要求6所述的基片处理方法,其特征在于:
所述周缘供给步骤在所述液量调整步骤之后进行。
8.如权利要求7所述的基片处理方法,其特征在于还包括:
在所述周缘供给步骤之后还包括第二液量调整步骤,在该第二液量调整步骤中,停止向所述基板供给所述处理液,并且一边使所述基片旋转一边减少形成所述液膜的所述处理液的液量。
9.如权利要求8所述的基片处理方法,其特征在于:
在所述第二液量调整步骤中,使所述基片以所述第二转速以下的转速旋转。
10.如权利要求1~4中任一项所述的基片处理方法,其特征在于:
在所述液量调整步骤之后还包括:
将所述基片以形成有所述处理液的所述液膜的状态送入处理容器内的送入步骤;和
在所述送入步骤之后,向所述处理容器供给加压后的处理流体而将所述处理容器内的压力维持为所述处理流体维持临界状态的压力,并且在向所述处理容器供给加压后的所述处理流体的同时从所述处理容器排出所述处理流体,使所述基片干燥的干燥步骤。
11.一种记录有程序的存储介质,其特征在于:
在由用于控制基片处理系统的动作的计算机执行所述程序时,所述计算机控制所述基片处理系统执行权利要求1~4中任一项所述的基片处理方法。
12.一种基片处理系统,其特征在于,包括:
将基片保持为水平的保持部;
使所述保持部旋转的旋转驱动部;
向由所述保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部;和
控制部,
所述控制部控制所述旋转驱动部和所述处理液供给部,使得进行下述步骤:
一边使所述基片以第一转速旋转一边向所述基片的表面供给所述处理液,形成覆盖所述基片的表面的所述处理液的液膜的液膜形成步骤;
在所述液膜形成步骤之后,使所述基片的转速成为所述第一转速以下的转速,并且停止向所述基片供给所述处理液的供给停止步骤;和
在所述供给停止步骤之后,使所述基片的转速成为比所述第一转速大的第二转速,减少形成所述液膜的所述处理液的液量的液量调整步骤。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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