[发明专利]基片处理方法、存储介质和基片处理系统

说明书

本发明提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法。在本发明的基片处理方法中，首先，作为液膜形成步骤，使基片(W)以第一转速旋转并且向基片(W)的表面供给处理液，形成覆盖基片(W)的表面的处理液的液膜。在液膜形成步骤之后，作为供给停止步骤，使基片(W)的转速成为第一转速以下的转速，并且停止向基片(W)供给处理液。在供给停止步骤之后，作为液量调整步骤，使基片(W)的转速成为比第一转速大的转速，减少形成液膜的处理液的液量。

技术领域

本发明涉及基片处理方法、存储介质和基片处理系统。

背景技术

在作为基片的半导体晶片(以下称为晶片)等的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造步骤中，执行利用药液等清洗液除去晶片表面的微小的尘埃、自然氧化膜等，利用液体对晶片表面进行处理的处理步骤。

已知在这样的处理步骤中除去在晶片的表面残留的液体时，使用超临界状态的处理流体的方法。例如在专利文献1中公开了利用超临界流体从基片之上溶解有机溶剂后使晶片干燥的基片处理装置。

在专利文献1的基片处理装置中，在处理装置内利用药液等清洗液进行晶片的表面的清洗。作为处理液的有机溶剂积存在清洗后的晶片的表面。积存了有机溶剂的晶片从清洗装置运送至超临界处理装置，在超临界处理装置内使用超临界状态的处理流体进行晶片的干燥处理。通过像这样在晶片的表面积存有机溶剂，防止清洗后的晶片的表面在超临界处理装置内干燥处理之前就进行干燥，防止产生颗粒。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，当清洗后的晶片的表面上的有机溶剂的液体积存量过少时，在超临界处理装置内进行干燥处理之前存在有机溶剂气化的可能性。另一方面，当液体积存量过多时，在超临界处理装置内的干燥处理后，可能在晶片产生颗粒。因此，要求清洗后的晶片的表面上的有机溶剂以所需的量高精度地积存。

本发明鉴于该点而完成的，其提供能够提高形成在基片的表面上的处理液的液膜的厚度的精度的基片处理方法、存储介质和基片处理系统。

用于解决课题的技术方案

本发明的一实施方式提供一种基片处理方法，其包括：

一边使基片以第一转速旋转一边向上述基片的表面供给处理液，形成覆盖上述基片的表面的上述处理液的液膜的液膜形成步骤；

在上述液膜形成步骤之后，使上述基片的转速成为上述第一转速以下的转速，并且停止向上述基片供给上述处理液的供给停止步骤；和

在上述供给停止步骤之后，使上述基片的转速成为比上述第一转速大的第二转速，减少形成上述液膜的上述处理液的液量的液量调整步骤。

此外，本发明的另一实施方式提供一种记录有程序的存储介质，

由用于控制基片处理系统的动作的计算机执行上述程序时，上述计算机控制上述基片处理系统执行上述基片处理方法。

此外，本发明的又一实施方式提供一种基片处理系统，其包括：

将基片保持为水平的保持部；

使上述保持部旋转的旋转驱动部；

向由上述保持部保持的上述基片供给处理液的处理液供给部；和

控制部，

上述控制部控制上述旋转驱动部和上述处理液供给部，使得进行下述步骤：