[发明专利]一种MEMS晶圆切割方法在审
| 申请号： | 201810902280.3 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN108996470A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨水长;甘先锋;陈文礼;孙传彬 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 264006 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 结构释放 晶圆背面 透明薄膜 激光 晶圆切割 切割过程 切割框架 晶圆级 贴附 切割 等离子体切割 晶圆加工 有效减少 打孔 硅渣 贴膜 薄膜 背面 保证 | ||
1.一种MEMS晶圆切割方法，其特征在于，所述方法包括：
对晶圆进行晶圆级结构释放；
在进行结构释放后的所述晶圆背面贴附透明薄膜，并将所述晶圆固定于切割框架；
利用激光从所述晶圆背面透过所述薄膜对所述晶圆进行隐形激光切割。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用隐形激光从所述晶圆背面透过所述薄膜进行切割之后，所述方法还包括：
使用扩膜机对贴附有所述薄膜的所述晶圆进行扩膜；
通过扩晶环固定扩膜后的所述晶圆。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄膜为无色透明的UV膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过扩晶环固定扩膜后的所述晶圆之后，所述方法还包括：
利用UV照射机从所述晶圆背面照射所述UV膜，以对所述晶圆进行解UV。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述利用隐形激光从所述晶圆背面透过所述薄膜进行切割之后，所述方法还包括：
通过裂片装置将所述晶圆裂开。
6.根据权利要求1至5任一项权利要求所述的方法，其特征在于，在所述对晶圆进行晶圆级结构释放之前，所述方法还包括：
沿所述晶圆正面预设的切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割；
所述利用隐形激光从所述晶圆背面透过所述薄膜对所述晶圆进行切割包括：
利用隐形激光切割设备，从所述晶圆背面透过所述薄膜沿所述切割道对所述晶圆进行隐形激光切割。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述沿所述晶圆正面预设的切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割包括：
利用刀片沿所述晶圆正面预设的所述切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述沿所述晶圆正面预设的切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割之前，所述方法还包括：
在所述晶圆正面设置保护胶膜。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述晶圆正面设置保护胶膜包括：
在所述晶圆正面涂覆光刻胶。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述沿所述晶圆正面预设的切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割之前，所述方法还包括：
对所述晶圆背面进行减薄。
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