[发明专利]一种MEMS晶圆切割方法

说明书

本发明公开了一种MEMS晶圆切割方法，包括对晶圆进行晶圆级结构释放；在进行结构释放后的晶圆背面贴附透明薄膜，并将晶圆固定于切割框架；利用隐形激光从晶圆背面透过薄膜对晶圆进行切割。上述方法通过先对晶圆进行晶圆级结构释放可以有效增加结构释放的效率；对晶圆背面贴附透明薄膜可以在将晶圆固定于切割框架的同时，保证激光可以透过透明薄膜而仅作用于晶圆背面；通过隐形激光从晶圆的背面进行切割可以有效减少在切割过程中硅渣的产生。上述方法在切割过程中避免使用到打孔贴膜、等离子体切割等复杂的工序和昂贵的设备，从而有效降低了晶圆加工的成本。

技术领域

本发明涉及微机电系统技术领域，特别是涉及一种MEMS晶圆切割方法。

背景技术

MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)是一种基于微电子技术和微加工技术而产生的一种高科技领域。MEMS技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元，所集成出来的微型单元也可以称为MEMS芯片。

在制作MEMS芯片时，有两个重要的步骤，其一是需要将MEMS晶圆进行结构释放，所述MEMS晶圆即表面设置有MEMS结构的晶圆，该步骤是要在晶圆上形成具有一定功能的微型结构；其二是需要将晶圆切割成相互分离的MEMS芯片。若先将晶圆切割成多个MEMS芯片，再将MEMS芯片逐个进行结构释放会极大的影响结构释放的效率，不利于大规模生产；若先将晶圆进行结构释放，会在晶圆正面形成MEMS结构，这将不利于对晶圆进行切割。所以如何提供一种MEMS晶圆切割方法，可以在保证晶圆结构释放的效率的同时，保证在切割晶圆时不对晶圆正面的MEMS结构进行破坏是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种MEMS晶圆切割方法，可以在保证晶圆结构释放的效率的同时，保证在切割晶圆时不对晶圆正面的MEMS结构进行破坏。

为解决上述技术问题，本发明提供一种MEMS晶圆切割方法，所述方法包括：

对晶圆进行晶圆级结构释放；

在进行结构释放后的所述晶圆背面贴附透明薄膜，并将所述晶圆固定于切割框架；

利用激光从所述晶圆背面透过所述薄膜对所述晶圆进行隐形激光切割。

可选的，在所述利用隐形激光从所述晶圆背面透过所述薄膜进行切割之后，所述方法还包括：

使用扩膜机对贴附有所述薄膜的所述晶圆进行扩膜；

通过扩晶环固定扩膜后的所述晶圆。

可选的，所述薄膜为无色透明的UV膜。

可选的，所述通过扩晶环固定扩膜后的所述晶圆之后，所述方法还包括：

利用UV照射机从所述晶圆背面照射所述UV膜，以对所述晶圆进行解UV。

可选的，在所述利用隐形激光从所述晶圆背面透过所述薄膜进行切割之后，所述方法还包括：

通过裂片装置将所述晶圆裂开。

可选的，在所述对晶圆进行晶圆级结构释放之前，所述方法还包括：

沿所述晶圆正面预设的切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割；

所述利用隐形激光从所述晶圆背面透过所述薄膜对所述晶圆进行切割包括：

利用隐形激光切割设备，从所述晶圆背面透过所述薄膜沿所述切割道对所述晶圆进行隐形激光切割。

可选的，所述沿所述晶圆正面预设的切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割包括：

利用刀片沿所述晶圆正面预设的所述切割道从所述晶圆正面对所述晶圆进行半切割。