[发明专利]衬底处理设备及其清洁方法

权利要求书

1.一种衬底处理设备，包括：

处理室；

支撑单元，其位于所述处理室中并构造为支撑衬底；以及

气体注入单元，其位于所述处理室中，

其中，所述气体注入单元包括：

第一注入部，其构造为注入源气体；

第二注入部，其面对所述第一注入部并且构造为注入与所述源气体反应的反应气体；以及

第三注入部，其构造为注入清洁气体，所述清洁气体去除由所述源气体和所述反应气体产生的反应物。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第三注入部定位为与所述第一注入部相邻。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，

所述源气体包括铝(Al)前体，

所述反应气体包括H₂O或臭氧(O₃)，并且

所述清洁气体包括下列中的一种或多种：

三氯化硼(BCl₃)；

CH_xCl_y，其中，x＝0至4，y＝4-x；以及

SiH_xCl_y，其中，x＝0至4，y＝4-x。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述气体注入单元还包括第四注入部，所述第四注入部构造为注入去除所述清洁气体的化学气体，

其中，所述化学气体包括下列中的一种或多种：

H₂O；

氢气(H₂)；和

臭氧(O₃)。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述支撑单元包括：

衬底加载构件，其构造为沿着第一方向将多个衬底加载到所述处理室中；

支撑板，其构造成支撑所述衬底加载构件；以及

可旋转构件，其构造为旋转所述支撑板。

6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第三注入部包括清洁喷嘴，所述清洁喷嘴沿着所述第一方向延伸并且构造为注入所述清洁气体。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述清洁喷嘴包括限定在所述清洁喷嘴中并且沿着所述第一方向布置的多个注入孔。

8.根据权利要求5所述的设备，其中，

所述第一注入部包括源喷嘴，所述源喷嘴沿着所述第一方向延伸并且构造为注入所述源气体，并且

所述第二注入部包括反应喷嘴，所反应喷嘴沿所述第一方向延伸并且构造为注入所述反应气体，

其中，所述源喷嘴和所述反应喷嘴位于所述衬底加载构件的相对侧上并且被定位成跨所述衬底加载构件而彼此面对。

9.根据权利要求1所述的设备，还包括加热单元，所述加热单元围绕所述处理室并且构造为对所述处理室进行加热。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述气体注入单元还包括圆形基部，

其中，所述第一注入部、第二注入部和第三注入部定位在所述圆形基部上并且以圆形图案布置在所述圆形基部上。

11.根据权利要求10所述的设备，还包括排气单元，其构造为从所述处理室排出气体，

其中，所述排气单元包括位于所述第三注入部的相对侧上的第一子排气部和第二子排气部。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述第一子排气部和所述第二子排气部相对于所述第三注入部的底表面朝向所述圆形基部凹入。

13.根据权利要求10所述的设备，其中，所述支撑单元包括：

衬底支撑构件，其在所述气体注入单元下方并且构造为支撑所述衬底；以及

可旋转构件，其构造为旋转所述衬底支撑构件。