[发明专利]衬底处理设备及其清洁方法

说明书

公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年8月17日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0104261的优先权，其公开内容通过引用其全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及一种衬底处理设备及其清洁方法。

背景技术

通常，半导体器件的制造需要许多处理，例如沉积处理、光刻处理和清洁处理。在这些处理中，采用诸如CVD(化学气相沉积)或ALD(原子层沉积)的沉积工艺来在衬底上形成材料层。

当执行沉积工艺时，材料层不仅沉积在衬底上，还沉积在处理室等上。因此要求或需要周期性地执行清洁处理以去除沉积在处理室等上的材料层。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种衬底处理设备以及清洁衬底处理设备方法。

本发明构思的目的不限于上面提到的那些，并且通过以下描述，本领域技术人员将清楚地理解上文未提及的其他目的。

根据本发明构思的示例实施例，一种衬底处理设备可以包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并构造为支撑衬底；和位于处理室中的气体注入单元。气体注入单元可以包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面对第一注入部并且构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除由源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。

根据本发明构思的示例实施例，一种衬底处理设备可以包括处理室、包含源气体的源气体供应源、包含反应气体的反应气体供应源、包含清洁气体的清洁气体供应源、位于处理室中并且构造为支撑衬底的支撑单元、以及位于处理室中的气体注入单元。气体注入单元可以包括：源气体注入部，其与源气体供应源流体连通并且构造为注入源气体；反应气体注入部，其与反应气体供应源流体连通并且构造为注入与源气体反应的反应气体；以及清洁气体注入部，其与清洁气体供应源流体连通并且构造为注入去除由源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。源气体注入部和反应气体注入部可位于处理室的相对侧上。

根据本发明构思的示例实施例，一种衬底处理设备可以包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，所述气体注入单元包括清洁气体注入部，所述清洁气体注入部配置为向所述处理室提供去除所述处理室上的反应物的清洁气体。反应物可以包括氧化铝(Al₂O₃)。清洁气体可以包括CH_xCl_y(其中，x＝0至4，y＝4-x)或SiH_xCl_y(其中，x＝0至4，y＝4-x)。

根据本发明构思的示例实施例，一种清洁衬底处理设备的方法可以包括：向处理室提供清洁气体以去除处理室上的反应物；以及使清洁气体和反应物彼此反应以去除处理室上的反应物。反应物可以包括氧化铝(Al₂O₃)。清洁气体可以包括CH_xCl_y(其中，x＝0至4，y＝4-x)或SiH_xCl_y(其中，x＝0至4，y＝4-x)。

其他示例实施例的细节包括在说明书和附图中。

附图说明

图1示出了显示出根据本发明构思的示例实施例的衬底处理设备的简化示意图。

图2示出了显示出图1的衬底处理设备的平面图。