[发明专利]一种半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍部；

在第一区域的半导体衬底上形成鳍式晶体管结构和对应的导电连接结构的工艺过程中，在第二区域中复用至少部分所述工艺过程以形成至少一个电容结构；

其中，复用至少部分所述工艺过程以形成至少一个电容结构包括如下工艺过程中的至少一种：

通过复用在鳍部上形成源漏区和栅极导电结构的工艺过程形成第一电容结构；

通过复用形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的工艺过程形成第二电容结构；

通过复用形成第一金属层的工艺过程形成第三电容结构；

通过复用形成第二金属层的工艺过程形成第四电容结构；以及

通过复用形成第三金属层的工艺过程形成第五电容结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过复用在鳍部上形成源漏区和栅极导电结构的工艺过程形成第一电容结构包括：

在第一区域形成源漏区的同时，对第二区域的鳍部相应位置进行离子注入以形成所述第一电容结构的第一电极；

在第一区域形成栅介质层的同时，在第二区域中的鳍部的第一位置形成第一介质层；

在第一区域形成栅极导电结构的同时，形成横跨鳍部的第一导电结构以形成所述第一电容结构的第二电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过复用形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的工艺过程形成第二电容结构包括：

在第一区域形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的同时，在第二区域中形成相互平行的第二导电结构；

其中，一部分第二导电结构作为所述第二电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构作为所述第二电容结构的第二电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过复用形成第一金属层的工艺过程形成第三电容结构包括：

在第一区域形成第一金属层的同时，在第二区域中形成平行排列的多个第三导电结构；

其中，一部分第三导电结构作为所述第三电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构作为所述第三电容结构的第二电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过复用形成第二金属层的工艺过程形成第四电容结构包括：

在第一区域形成第二金属层的同时，在第二区域中形成平行排列的多个第四导电结构；

其中，一部分第四导电结构作为所述第四电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构作为所述第四电容结构的第二电极。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过复用形成第三金属层的工艺过程形成第五电容结构包括：

在第一区域形成第三金属层的同时，在第二区域中形成平行排列的多个第五导电结构；

其中，一部分第五导电结构作为所述第五电容结构的第一电极，另一部分第五导电结构作为所述第五电容结构的第二电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，复用至少部分所述工艺过程包括：

通过复用在鳍部上形成源漏区和栅极导电结构的工艺过程形成第一电容结构；以及

通过复用形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的工艺过程形成第二电容结构；

其中，通过复用在鳍部上形成源漏区和栅极导电结构的工艺过程形成第一电容结构包括：

在第一区域形成源漏区的同时，对第二区域的鳍部的相应位置进行离子注入以形成所述第一电容结构的第一电极；

在第一区域形成栅介质层的同时，在第二区域中的鳍部的第一位置形成第一介质层；以及

在第一区域形成栅极导电结构的同时，形成横跨鳍部的第一导电结构以形成所述第一电容结构的第二电极；

通过复用形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的工艺过程形成第二电容结构包括：

在第一区域形成源漏极导电结构以及栅极上导电图案的同时，在第二区域中形成平行排列且互不相连的多个第二导电结构；

其中，一部分第二导电结构电连接到所述鳍部的第二位置以作为所述第二电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构电连接到所述横跨鳍部的第一导电结构以作为所述第二电容结构的第二电极。