[发明专利]一种半导体器件的形成方法

说明书

本公开提供了一种半导体器件的形成方法，本公开实施例在第一区域的半导体衬底上形成鳍式晶体管结构和对应的导电连接结构的工艺过程中，在第二区域中复用至少部分形成鳍式晶体管结构和对应的导电连接结构的工艺过程以形成至少一个电容结构。由此，在形成鳍式晶体管结构的同时形成高密度的电容结构，减少工艺过程，提高生产效率。通过本公开实施例的方法形成的电容结构具有体积小，电容量大的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

电容器是一种容纳电荷的器件。任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体即可构成一个电容器。在集成电路中，由于每单位面积的电容有限，电容器在整个电路布局中一直占据相当大的芯片面积。但是随着电子产品的集成化程度的提高，迫切需要一种占据的面积小，且电容较大的高密度电容器。

发明内容

有鉴于此，本公开提供了一种半导体器件的形成方法，以提高集成电路中电容器的电容，缩小电容器的面积。

本公开提供的半导体器件的形成方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍部；

在第一区域的半导体衬底上形成鳍式晶体管结构和对应的导电连接结构的工艺过程中，在第二区域中复用至少部分所述工艺过程以形成至少一个电容结构；

其中，复用至少部分所述工艺过程以形成至少一个电容结构包括如下工艺过程中的至少一种：

通过复用在鳍部上形成源漏区和栅极导电结构的工艺过程形成第一电容结构；

通过复用形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的工艺过程形成第二电容结构；

通过复用形成第一金属层的工艺过程形成第三电容结构；

通过复用形成第二金属层的工艺过程形成第四电容结构；以及

通过复用形成第三金属层的工艺过程形成第五电容结构。

进一步地，通过复用在鳍部上形成源漏区和栅极导电结构的工艺过程形成第一电容结构包括：

在第一区域形成源漏区的同时，对第二区域的鳍部相应位置进行离子注入以形成所述第一电容结构的第一电极；

在第一区域形成栅介质层的同时，在第二区域中的鳍部的第一位置形成第一介质层；

在第一区域形成栅极导电结构的同时，形成横跨鳍部的第一导电结构以形成所述第一电容结构的第二电极。

进一步地，通过复用形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的工艺过程形成第二电容结构包括：

在第一区域形成源漏极导电结构以及形成栅极上导电图案的同时，在第二区域中形成相互平行的第二导电结构；

其中，一部分第二导电结构作为所述第二电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构作为所述第二电容结构的第二电极。

进一步地，通过复用形成第一金属层的工艺过程形成第三电容结构包括：

在第一区域形成第一金属层的同时，在第二区域中形成平行排列的多个第三导电结构；

其中，一部分第三导电结构作为所述第三电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构作为所述第三电容结构的第二电极。

进一步地，通过复用形成第二金属层的工艺过程形成第四电容结构包括：

在第一区域形成第二金属层的同时，在第二区域中形成平行排列的多个第四导电结构；

其中，一部分第四导电结构作为所述第四电容结构的第一电极，另一部分第二导电结构作为所述第四电容结构的第二电极。