[发明专利]存储器装置及其编程方法

权利要求书

1.一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包括一存储器阵列与一控制器，该存储器阵列包括多个存储器单元，该编程方法包括：

由该控制器控制对该存储器阵列的一第一字线的一第一页面进行编程；

由该控制器控制对该存储器阵列的一第二字线的一第一页面进行编程，该第二字线相邻于该第一字线；

由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的一第二页面进行一第一编程；

由该控制器控制对该存储器阵列的一第三字线的一第一页面进行编程，该第三字线相邻于该第二字线；

由该控制器控制对该存储器阵列的该第二字线的一第二页面进行该第一编程；以及

由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行一第二编程；

其中，第一页面对应高页面，且第二页面对应低页面；

其中，

由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第一页面进行编程包括：

施加属于一第二编程电压范围内的至少一编程电压至这些存储器单元，使得这些存储器单元具有一第一阈值电压分布与一第二阈值电压分布，其中，第一页面中具有逻辑1的存储器单元具有第一阈值电压分布，而第一页面中具有逻辑0的存储器单元具有第二阈值电压分布；该第一阈值电压分布低于一第一验证电压且该第二阈值电压分布高于一第二验证电压；

由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行该第一编程包括：

施加属于一第三编程电压范围内的至少一编程电压至这些存储器单元，使得具有一第三逻辑状态00的这些存储器单元具有一第三阈值电压分布且具有一第四逻辑状态01的这些存储器单元具有一第四阈值电压分布，其中，该第三阈值电压分布高于该第二验证电压但低于一第三验证电压，而该第四阈值电压分布高于该第三验证电压；

由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行该第二编程包括：

施加属于一第一编程电压范围内的至少一编程电压至这些存储器单元，使得具有一第一逻辑状态11的这些存储器单元具有一第五阈值电压分布且具有一第二逻辑状态10的这些存储器单元具有一第六阈值电压分布，其中，该第五阈值电压分布低于该第一验证电压，该第六阈值电压分布高于该第一验证电压但低于该第二验证电压；

其中，

该第一验证电压低于该第二验证电压，且该第二验证电压低于该第三验证电压；以及

该第一编程电压范围低于该第二编程电压范围，该第二编程电压范围低于该第三编程电压范围；

第二阈值电压分布高于第二验证电压但低于第三验证电压。