[发明专利]存储器装置及其编程方法

说明书

一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包括一存储器阵列与一控制器，该存储器阵列包括多个存储器单元，该编程方法包括：由该控制器控制对该存储器阵列的一第一字线的一第一页面进行编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第二字线的一第一页面进行编程，该第二字线相邻于该第一字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的一第二页面进行一第一编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第三字线的一第一页面进行编程，该第三字线相邻于该第二字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第二字线的一第二页面进行该第一编程；以及由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行一第二编程。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置及其编程方法。

背景技术

近来，非易失性半导体存储器装置(如闪存)的应用愈来愈广。闪存能够不需电源供应即可保留数据，故有很高的市场需求。为了增加闪存的储存密度，目前已研发出多阶储存单元(multi-level cell，MLC)存储器，单一个MLC存储器单元可储存多个位的数据。

对于MLC而言，每一实体页面可储存二个或更多个逻辑页面。以单一单元可储存两个位的MLC存储器为例，可将逻辑页面分为高页面(high page)与低页面(low page)，其中，将先被写入的页面称为高页面，而后被写入的页面称为低页面。

图1显示现据现有技术的编程方法。曲线110代表尚未编程之前的实体页面的阈值电压分布，在此情况中，实体页面上的所有存储器单元皆处于未编程状态。之后，对该实体页面的高页面施加编程电压，使得这些存储器单元具有阈值电压分布120与130，其中，具有逻辑1状态的高页面具有阈值电压分布120，而具有逻辑0状态的高页面具有阈值电压分布130。之后，对该实体页面的低页面施加编程电压，使得具有逻辑状态11的这些存储器单元具有阈值电压分布140，具有逻辑状态10的这些存储器单元具有阈值电压分布150，具有逻辑状态00的这些存储器单元具有阈值电压分布160，具有逻辑状态01的这些存储器单元具有阈值电压分布170。

增量步阶脉冲编程(Incremental Step Pulse Programming，ISPP)是目前常用的编程方式。在ISPP中，提供至存储器单元的编程电压逐渐升高，直到编程电压达到足以编程存储器单元至期望状态的电平。在提供编程电压至存储器单元后，施加验证电压至存储器单元，以验证存储器单元是否已被编程成功。当存储器单元的阈值电压高于验证电压时，则该存储器单元已编程成功，反之则升高编程电压，直到存储器单元的阈值电压高于验证电压。

图2显示现有技术的ISPP的编程顺序。如图2所示，P1-P5分别代表5个不同的编程电压，其中，P1＝Vpgm，P2＝Vpgm+ΔVt，P3＝Vpgm+2ΔVt，P4＝Vpgm+3ΔVt，P5＝Vpgm+4ΔVt，Vpgm代表初始的编程电压，而ΔVt则代表电压增加量。而L1-L5则分别代表施加编程电压P1-P5后所得到的阈值电压分布。L0代表尚未编程前的阈值电压分布。

于施加编程电压P1后，存储器单元的阈值电压分布为L1。接着，判断存储器单元的阈值电压分布L1是否高于验证电压Vvfy，如果没有，则施加下一编程电压P2。直到存储器单元的阈值电压分布高于验证电压Vvfy为止。

然而，当在编程某一存储器单元时，其周边的存储器单元可能会遭受影响。原本不该被编程的存储器单元，可能因为周边存储器单元的编程，而导致其阈值电压上升，进而导致存储器的可靠度降低。

因此，需要有新式存储器装置及其编程方法，可提高存储器的可靠度。

发明内容