[发明专利]一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法在审
申请号: | 201810905856.1 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN108828280A | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 邱德明;张振峰;杨国良 | 申请(专利权)人: | 武汉盛为芯科技有限公司 |
主分类号: | G01R1/067 | 分类号: | G01R1/067;C08L53/02;C08L23/12;C08K3/08;C08K3/04;C08K7/06 |
代理公司: | 武汉维创品智专利代理事务所(特殊普通合伙) 42239 | 代理人: | 余丽霞 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 导电填充材料 探针本体 探针 金属填料 碳系填料 探针材料 裸芯片 电阻 半导体激光器芯片 复合材料颗粒 质量百分比 重量百分比 测试 低电阻率 合适配方 一体成型 质量比 填充 制备 生产成本 制造 替代 配置 | ||
1.一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针,包括探针本体,其特征在于,所述探针本体为一体成型,所述探针本体采用下述材料:含有PP/SEBS基复合材料和配置在所述复合材料颗粒间的导电填充材料;
其中,所述PP/SEBS基复合材料的质量百分比为70%-99%,且PP/SEBS基复合材料中PP与SEBS的质量比为0.3-2:1;所述导电填充材料的重量百分比为1%-30%,且所述导电填充材料包括下述质量百分百的填料:65%-80%的金属填料和20%-35%的碳系填料。
2.根据权利要求1所述的一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针,所述金属填料为微米级的普通工业级铝粉、黄铜、不锈钢短纤维和Ag粉的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针,所述碳系填料为炭黑、石墨和碳纳米管的一种或几种。
4.一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、通过将PP和SEBS按0.3-2:1的质量比混合熔融而制作PP/SEBS基复合材料的工序;
步骤二、通过将步骤一所得70%-99%复合材料与1%-30%导电填充材料混合而制作探针材料的工序;
步骤三、对步骤二所制作的探针材料进行成形的工序;
步骤四、在300-500℃的温度范围内,对成形后的探针进行热处理的工序。
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