[发明专利]一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法

说明书

本发明公开了本发明提供了一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及及其制造方法，包括探针本体，所述探针本体为一体成型，所述探针本体采用下述材料：含有PP/SEBS基复合材料和配置在所述复合材料颗粒间的导电填充材料；其中，所述PP/SEBS基复合材料的质量百分比为70％‑99％，且PP/SEBS基复合材料中PP与SEBS的质量比为0.3‑2：1；所述导电填充材料的重量百分比为1％‑30％，且所述导电填充材料包括下述质量百分百的填料：65％‑80％的金属填料和20％‑35％的碳系填料。本发明中，通过在PP/SEBS基复合材料中填充合适配方的金属填料和碳系填料，制备出低电阻率、硬度高的探针材料。以本发明所提供的探针材料替代金作为半导体激光器芯片的探针，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体激光器芯片测试用探针及其材料的技术领域，具体的说是涉及一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法。

背景技术

探针是半导体激光器芯片检测中的一个重要环节，因为光芯片电阻值的测试量程要求做到uΩ级，一般的测试手段难以做到这种测试精度，大多数情况存在芯片电阻值测试不准确导致后续工艺产品的不良，为了提升后续工艺环节的良率及产品可靠性需要对芯片电阻做精确测试。

一般集成电路芯片的测试主要使用万用表等电阻测试仪表的测试探头对芯片电阻进行测试，量程一般为mΩ级。而对于某些元件如激光芯片，对芯片电阻值的测试量程要求为uΩ级，对测试精度要求也较高，以利于后续工艺。传统测试芯片阻值的方法是利用电阻测试仪，对其阻值进行测试，量程一般是mΩ级，对测试探头的要求不高，这样测试得出的阻值无法满足半导体激光器芯片的测试精度以及后续工艺要求，带来生产环节的不确定因素，导致产品不良。

对于半导体激光器芯片用探针用材料，不仅要求反复进行几百万次检查也不会磨损的高硬度，还需要有能维持与半导体激光器芯片的稳定的接触的弹性(高弹性)，接触电阻低。由于探针是用于电特性的检查的工具，因此还必须是比电阻较低的良好的导电材料。

现有的半导体激光器芯片探针用材料为金或者金合金，成本较高，本发明是以上述事实为背景而完成的发明，提供一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针。

发明内容

为解决上述背景技术中提出的问题，本发明的目的在于提供一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及其制造方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：

本发明提供了一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针，包括探针本体，所述探针本体为一体成型，所述探针本体采用下述材料：含有PP/SEBS基复合材料和配置在所述复合材料颗粒间的导电填充材料；

其中，所述PP/SEBS基复合材料的质量百分比为70％-99％，且PP/SEBS基复合材料中PP与SEBS的质量比为0.3-2：1；所述导电填充材料的重量百分比为1％-30％，且所述导电填充材料包括下述质量百分百的填料：65％-80％的金属填料和20％-35％的碳系填料。

上述技术方案中，所述金属填料为微米级的普通工业级铝粉、黄铜和不锈钢短纤维的一种或几种。

上述技术方案中，所述碳系填料为炭黑、石墨和碳纳米管的一种或几种。

本发明还提供了一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针的制造方法，包括以下步骤：

步骤一、通过将PP和SEBS按0.3-2：1的质量比混合熔融而制作PP/SEBS基复合材料的工序；

步骤二、通过将步骤一所得70％-99％复合材料与1％-30％导电填充材料混合而制作探针材料的工序；

步骤三、对步骤二所制作的探针材料进行成形的工序；

步骤四、在300-500℃的温度范围内，对成形后的探针进行热处理的工序。