[发明专利]封装基板结构与其接合方法

说明书

本发明提供一种封装基板结构，包括第一基板、第二基板、多个导电柱以及黏着层。第一基板包括多个盲孔以及多个接垫。这些盲孔以及这些接垫设置于第一基板上，且填入这些盲孔。第二基板相对于第一基板设置。各导电柱位于第一基板与第二基板之间，电性连接各接垫以及第二基板，且各导电柱填满各盲孔。黏着层设置于第一基板与第二基板之间，且黏着层填满这些导电柱之间的间隙。一种封装基板结构的接合方法也被提出。

技术领域

本发明涉及一种封装技术，尤其涉及一种封装基板结构与其接合方法。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(semiconductor device)已开发出不同的封装方式，例如：打线式(wire bonding)、覆晶式(flip chip)或混合式(hybrid，即覆晶式配合打线式)。在追求高效能及缩小封装体积的过程中，细线路的体积愈趋精细化，阻值会愈加地提高，进而降低效能。

目前已有使用铜结构制作细线路以降低阻值，并进行接合的封装技术。然而，现行铜接合所能达到的实施条件为温度300℃至450℃且需高达300MPa的压力，且接合后通常需要退火处理。此外，于接合前，铜结构的表面需要良好清洁且须通过化学研磨制程(chemical-mechanical planarization,CMP)以得到平整的表面，因此制程复杂，且无法减少制造成本。另外，于基板上制作细线路时可能产生非对称结构造成基板材料翘曲的问题，从而有制造良率不佳的问题。

发明内容

本发明是针对一种封装基板结构，适于进行低温接合组装，并具有良好的接合强度以及接合质量。

本发明是针对一种封装基板结构的接合方法，适于降低制程的需求，并减少制造成本、提升制造良率以及提升封装基板结构的质量。

根据本发明的实施例，封装基板结构包括第一基板、第二基板、多个导电柱以及黏着层。第一基板包括多个盲孔设置于第一基板上，以及多个接垫设置于第一基板上，且填入盲孔。第二基板相对第一基板设置。各导电柱位于第一基板与第二基板之间，电性连接各接垫以及第二基板，且各导电柱填满各盲孔。黏着层设置于第一基板与第二基板之间，且黏着层填入于导电柱之间的间隙。

在根据本发明的实施例的封装基板结构中，上述的各接垫与各盲孔共形。

在根据本发明的实施例的封装基板结构中，上述的黏着层包括非光敏黏合剂或光敏黏合剂的其中一者。

在根据本发明的实施例的封装基板结构中，上述的封装基板结构还包括高分子黏合层设置于黏着层上。黏着层以及高分子黏合层填入于这些导电柱之间的间隙。

根据本发明的实施例，封装基板结构的接合方法，其包括以下步骤。提供第一基板，在第一基板上形成多个盲孔。设置多个接垫于第一基板上，各接垫填入各盲孔。提供第二基板，第二基板设置于载板上。形成多个导电柱于第二基板上。设置黏着层于第一基板与第二基板之间，且黏着层填满这些导电柱之间的间隙。压合这些导电柱于第二基板上，以使各导电柱电性连接各接垫并填满各盲孔。以及，移除该载板。

在根据本发明的实施例的封装基板结构的接合方法中，上述的在第一基板中形成这些盲孔的步骤包括，提供第一基底并在第一基底上形成介电材料。以及，图案化介电材料以形成具有这些盲孔的介电层，并暴露出部分第一基底。

在根据本发明的实施例的封装基板结构的接合方法中，上述的设置这些接垫于第一基板上的步骤包括，形成金属界面层于介电层上，并填入这些盲孔。形成覆盖金属界面层的图案化保护层，以暴露出填入这些盲孔中的部分金属界面层。自暴露出的部分金属界面层形成这些接垫。以及，移除图案化保护层以及图案化保护层所覆盖的金属界面层。

在根据本发明的实施例的封装基板结构的接合方法中，上述的封装基板结构的接合方法还包括，形成一凹槽于各接垫上，且各导电柱电性连接各凹槽。