[发明专利]产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种产生布局的方法，所述方法包括：

接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局；

从设计布局中提取有源鳍的设计规则；

形成与有源鳍叠置的鳍线，使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度，其中，鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且形成在半导体装置的整个布局区域中；

利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局；以及

利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成鳍线的步骤包括：

在半导体装置的布局区域内设置参考点；

从参考点形成满足设计规则的鳍线中的一组；以及

遵循设计规则的同时在半导体装置的布局区域中另外形成鳍线中的其它组。

3.如权利要求2所述的方法，其中，

参考点与有源鳍中的任一个共线定位，并且

参考点被设置为与半导体装置的布局区域的所述一个边缘相距预定的距离的点。

4.如权利要求2所述的方法，其中：

鳍线中的每个组包括四条鳍线，并且

每个组中的所述四条鳍线具有相同的长度。

5.如权利要求4所述的方法，其中：

形成芯轴图案布局的步骤包括为每个组形成具有与鳍线相同长度的芯轴图案，并且

芯轴图案与位于每个组的中心部分的两条鳍线叠置。

6.如权利要求2所述的方法，其中：

鳍线中的每个组包括两条鳍线，并且

每个组中的所述两条鳍线具有相同的长度。

7.如权利要求6所述的方法，其中：

形成芯轴图案布局的步骤包括为每个组形成具有与鳍线相同长度的芯轴图案，并且

芯轴图案设置在所述两条鳍线之间的区域中。

8.一种形成布局的方法，所述方法包括：

接收半导体装置的设计布局，所述半导体装置包括包含第一有源鳍的第一区域和包含第二有源鳍的第二区域；

从设计布局中提取第一有源鳍的第一设计规则；

形成与包括在第一区域中的第一有源鳍叠置的第一鳍线，使得第一鳍线具有比第一有源鳍的长度大的长度，其中，第一鳍线从与第一区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且第一鳍线中的至少一些的端部与第二区域的边界分隔开；

利用第一鳍线在整个第一区域上形成第一芯轴图案布局；以及

利用第一有源鳍在整个第一区域上形成第一切割图案布局。

9.如权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

从设计布局中提取第二有源鳍的第二设计规则；

形成与包括在第二区域中的第二有源鳍叠置的第二鳍线，使得第二鳍线具有比第二有源鳍的长度大的长度，其中，第二鳍线从与第二区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸；

利用第二鳍线在整个第二区域上形成第二芯轴图案布局；以及

利用第二有源鳍在整个第二区域上形成第二切割图案布局。

10.如权利要求8所述的方法，其中，形成第一鳍线的步骤包括：

在半导体装置的第一区域内设置参考点；

从参考点形成满足第一设计规则的第一鳍线中的一些；以及

根据第一设计规则，在半导体装置的第一区域中另外形成其余的第一鳍线。

11.如权利要求10所述的方法，其中，

参考点与第一有源鳍中的任一个共线定位，并且

参考点被设置为与半导体装置的第一区域的所述一个边缘相距预定的距离的点。

12.如权利要求8所述的方法，其中：

第一鳍线被划分为多个组，使得每个组包括四条第一鳍线，并且

每个组中的所述四条第一鳍线具有相同的长度。