[发明专利]产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法

说明书

提供了一种产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法，所述产生布局的方法包括：接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局；从设计布局中提取有源鳍的设计规则；形成与有源鳍叠置的鳍线，使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度，其中，鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且形成在半导体装置的整个布局区域中；利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局；利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。

于2017年10月26日在韩国知识产权局提交且发明名称为“产生布局的方法和利用其制造半导体装置的方法”的第10-2017-0140447号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种产生布局的方法和一种利用其制造半导体装置的方法。

背景技术

随着半导体装置高度集成化的趋势，晶体管的尺寸已经减小，且其短沟道效应正在增大。已经提出了鳍式场效晶体管(FinFET)结构以抑制晶体管的短沟道效应。

发明内容

可以通过提供一种产生布局的方法来实现实施例，所述方法包括：接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局；从设计布局中提取有源鳍的设计规则；形成与有源鳍叠置的鳍线，使得鳍线具有比有源鳍的长度大的长度，其中，鳍线从与半导体装置的布局区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且形成在半导体装置的整个布局区域中；利用鳍线在半导体装置的整个布局区域中形成芯轴图案布局；以及利用有源鳍在半导体装置的整个布局区域中形成切割图案布局。

可以通过提供一种形成布局的方法来实现实施例，所述方法包括：接收半导体装置的设计布局，所述半导体装置包括包含第一有源鳍的第一区域和包含第二有源鳍的第二区域；从设计布局中提取第一有源鳍的第一设计规则；形成与包括在第一区域中的第一有源鳍叠置的第一鳍线，使得第一鳍线具有比第一有源鳍的长度大的长度，其中，第一鳍线从与第一区域的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸，并且第一鳍线中的至少一些的端部与第二区域的边界分隔开；利用第一鳍线在整个第一区域上形成第一芯轴图案布局；以及利用第一有源鳍在整个第一区域上形成第一切割图案布局。

可以通过提供一种制造半导体装置的方法来实现实施例，所述方法包括：接收包括有源鳍的半导体装置的设计布局；从设计布局中提取有源鳍的设计规则；在半导体装置中形成与有源鳍叠置并且延伸成具有比有源鳍的长度大的长度的鳍线，其中，鳍线从与半导体装置的一个边缘邻近的位置朝向另一边缘连续地延伸；利用鳍线形成芯轴图案布局；利用有源鳍形成切割图案布局；用芯轴图案布局形成第一光掩模；用切割图案布局形成第二光掩模；以及通过利用第一光掩模和第二光掩模对基底进行图案化形成有源鳍。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将是清楚的，在附图中：

图1示出了根据示例性实施例的产生半导体装置的布局的方法的流程图；

图2至图6示出了根据示例性实施例的产生半导体装置的布局的方法的阶段的平面图；

图7和图8示出了根据示例性实施例的产生半导体装置的布局的方法的阶段的平面图；

图9和图10示出了根据示例性实施例的产生半导体装置的布局的方法的流程图；

图11至图18示出了根据示例性实施例的产生半导体装置的布局的方法的阶段的平面图；

图19和图20示出了根据示例性实施例的制造半导体装置的方法的流程图；以及

图21示出了根据示例性实施例的用于制造半导体装置的方法。

具体实施方式