[发明专利]一种共晶铝硅合金的自变质处理方法有效
| 申请号： | 201810907528.5 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN109055789B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王建华;李宏宝;彭浩平;涂浩;苏旭平 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C22C1/03 | 分类号： | C22C1/03;C22C21/02 |
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| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 共晶铝硅 合金 变质 处理 方法 | ||
1.一种共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，所述处理方法的具体操作步骤包括：
（1）采用Al锭和Al-50wt.％Si为原料，采用熔铸方法制备Al-12.6wt.%Si共晶铝硅合金；
（2）将步骤（1）制得的Al-12.6wt.%Si共晶铝硅合金放入在退火炉中球化退火2-4小时后，将试样取出进行空冷，得到共晶硅为粒状的Al-12.6wt.％Si合金；
（3）将步骤（1）制得的Al-12.6wt.%Si共晶铝硅合金在630-750℃进行重熔，使用 C2Cl6从熔体中除去气体和熔渣；
（4）采用步骤（2）球化退火的Al-12.6wt.％Si合金加入步骤（3）的共晶铝硅合金熔体中进行自变质处理；
（5）将自变质处理后的共晶铝硅合金熔体浇注到100℃的金属型模具中，制得自变质共晶铝硅合金。
2.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（2）所述的退火温度为577℃。
3.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（3）所述的C2Cl6加入量为共晶铝硅合金熔体的0.1wt.%。
4.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（3）所述共晶铝硅合金的重熔温度为680℃。
5.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（4）所述的自变质处理温度为630~750℃，自变质处理时间为3~5分钟。
6.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（4）所述自变质处理温度为680℃。
7.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（4）所述的球化退火Al-12.6wt.％Si合金的加入量为共晶铝硅合金熔体的0.1~1.0wt.%。
8.如权利要求1所述的共晶铝硅合金的自变质处理方法，其特征在于，步骤（4）所述的球化退火Al-12.6wt.％Si合金的加入量为共晶铝硅合金熔体的0.4~0.6wt.%。
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