[发明专利]芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

重分布线路结构层，包括：

至少一重分布线路；

至少一晶体管，电连接所述至少一重分布线路；及

多个导电通孔，电连接所述至少一重分布线路与所述至少一晶体管；

至少一芯片，设置于所述重分布线路结构层上，且与所述重分布线路结构层电连接；以及

封装胶体，设置于所述重分布线路结构层上，且至少包覆所述至少一芯片。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述重分布线路结构层还包括多个介电层，所述多个介电层其中的一个包括依序堆叠的第一介电子层、第二介电子层以及第三介电子层，而所述至少一晶体管位于所述多个介电层中，且所述至少一晶体管包括：

半导体材料层，位于所述第二介电子层中；

金属材料层，位于所述第三介电子层中；以及

导电材料层，贯穿所述第三介电子层与所述第二介电子层而连接至所述半导体材料层，且所述导电材料层环绕所述金属材料层。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述半导体材料层包括多晶硅半导体层、金属氧化物半导体层或非晶硅半导体层。

4.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述重分布线路结构层还包括：

至少一阻障层，设置于所述至少一重分布线路与所述至少一晶体管的所述半导体材料层之间。

5.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个介电层中任一层的厚度大于所述第二介电子层的厚度加上所述第三介电子层的厚度的总和，且所述第二介电子层的厚度加上所述第三介电子层的厚度的总和大于所述至少一阻障层的厚度。

6.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一阻障层的所述厚度介于5纳米至500纳米之间。

7.如权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述多个介电层中任一层的所述厚度介于0.1微米至20微米之间。

8.如权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一阻障层的材质包括氮化硅、氧化硅或氮化钛。

9.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一晶体管具有第一端与第二端，所述至少一重分布线路包括电压源线路及接地线路，所述至少一晶体管的所述第一端电连接至所述电压源线路，且所述至少一晶体管的所述第二端电连接至所述接地线路。

10.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：

载板，所述至少一芯片与所述载板分别位于所述重分布线路结构层的相对两侧，其中所述载板通过所述重分布线路结构层的所述多个导电通孔电连接至所述至少一芯片。

11.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一重分布线路的厚度介于2微米至8微米之间。

12.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述至少一晶体管包括静电放电防护晶体管或开关控制晶体管。

13.一种芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

形成重分布线路结构层，其中所述重分布线路结构层具有彼此相对的第一侧与第二侧，形成所述重分布线路结构层包括：

形成至少一晶体管及多个导电通孔于所述第一侧；以及

形成至少一重分布线路以电连接所述至少一晶体管，其中所述导电通孔电连接所述至少一重分布线路与所述至少一晶体管；

设置至少一芯片于所述重分布线路结构层的所述第二侧上，其中所述至少一芯片与所述重分布线路结构层电连接；以及

形成封装胶体于所述重分布线路结构层上，以至少包覆所述至少一芯片。