[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法、太阳能电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：太阳能电池芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成有增透膜，所述增透膜用于控制不同光线反射角度所反射的光线颜色。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述增透膜的带宽为500nm～780nm或380nm～580nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层位于所述增透膜和所述太阳能电池芯片之间。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括绝缘保护层，所述增透膜位于所述绝缘保护层和所述太阳能电池芯片之间。

5.根据权利要求3或4所述的太阳能电池，其特征在于，所述绝缘保护层为无机保护层或有机保护层。

6.根据权利要求3或4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池芯片的至少一个表面包括引线形成区域和着色形成区域；所述增透膜和所述绝缘保护层均位于所述着色形成区域内。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述引线形成区域为蛇形引线形成区域。

8.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池芯片包括两个电极层，以及形成在所述两个电极层之间的光电材料层；至少一个电极层含有电池缓冲子层；所述增透膜位于所述含有电池缓冲子层的电极层的背离所述光电材料层的表面上。

9.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一太阳能电池芯片；

在所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成增透膜，所述增透膜用于控制不同光线反射角度所反射的光线颜色。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述太阳能电池芯片的至少一个表面包括引线形成区域和着色形成区域；所述提供一太阳能电池芯片后，所述在所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成增透膜前，所述太阳能电池的制作方法还包括：

采用掩膜工艺在所述太阳能电池芯片的至少一个表面的着色形成区域形成绝缘保护层；

所述在所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成增透膜包括：

采用掩膜工艺在所述绝缘保护层背离着色形成区域的表面形成增透膜。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述太阳能电池芯片的至少一个表面包括引线形成区域和着色形成区域；所述在所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成增透膜包括：

采用掩膜工艺在所述太阳能电池芯片的至少一个表面的着色形成区域形成增透膜；

所述在所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成增透膜后，所述太阳能电池的制作方法还包括：

采用掩膜工艺在所述增透膜背离着色形成区域的表面形成绝缘保护层。

12.根据权利要求10或11所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述掩膜工艺所使用的掩膜板包括镂空部和遮光部；所述遮光部为与所述引线形成区域相匹配的蛇形遮光部；其中，

所述遮光部在所述太阳能电池表面的正投影位于所述引线形成区域，所述镂空部在所述太阳能电池表面的正投影位于所述着色形成区域。

13.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括权利要求1～8任一项所述的太阳能电池。