[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法、太阳能电池组件在审
申请号: | 201810909814.5 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN108717949A | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 张继凯;程晓龙;朱伟;李平 | 申请(专利权)人: | 汉能移动能源控股集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 周娟 |
地址: | 100107 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 太阳能电池组件 制作 太阳能电池芯片 增透膜 光伏发电 光线反射 光线颜色 光伏 反射 申请 应用 | ||
本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、太阳能电池组件,涉及光伏技术领域,以使得太阳能电池的颜色多样化,从而提高太阳能电池的应用范围。所述太阳能电池包括太阳能电池芯片,太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成有增透膜;该增透膜用于控制不同光线反射角度所反射的光线颜色。所述太阳能电池的制作方法用于制作上述技术方案所提的太阳能电池。本发明提供的太阳能电池及其制作方法、太阳能电池组件用于光伏发电中。
本申请要求于2018年6月11日提交中国专利局、申请号为201810597040.7、申请名称为“一种太阳能电池及制作方法、太阳能电池组件”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及制作方法、太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池是一种将光能转换成电能的光电转换装置,其以太阳能为能源进行光伏发电,发电过程中不产生能源浪费,具有无污染,易于安装的特点。
现有太阳能电池的电极层为多层复合结构,以提高光电转换效率并更好的传导光电流。以薄膜太阳能电池的负极层为例,该负极层包括层叠设置的电池缓冲层和导电层,电池缓冲层为硫化镉材料制作而成,使得电池缓冲层不仅能够提高太阳能的光电转换效率,而且电池缓冲层所含有的硫化镉还能够对薄膜太阳能电池的颜色进行调控。然而,由于硫化镉对于颜色的调控效果并不是很明显,导致薄膜太阳能电池的外观颜色比较单一,限制了薄膜太阳能电池的应用范围。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法、太阳能电池组件,以使得太阳能电池的颜色多样化,从而提高太阳能电池的应用范围。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种太阳能电池,包括:太阳能电池芯片,所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成有增透膜,所述增透膜用于控制不同光线反射角度所反射的光线颜色。
与现有技术相比,本发明提供的太阳能电池中,太阳能电池芯片的至少一个表面形成有增透膜,且增透膜能够控制不同光线反射角度所反射的光线颜色,使得照射在太阳能电池芯片表面的光线被反射时,可利用增透膜控制不同光线反射角度所反射的光线颜色,使得被反射的光线颜色多样化;因此,在不同角度观看太阳能电池时,太阳能电池的表面颜色就会呈现多样化,从而提高太阳能电池的应用范围。
本发明还提供了一种太阳能电池的制作方法,该太阳能电池的制作方法还包括:
提供一太阳能电池芯片;
在所述太阳能电池芯片的至少一个表面上方形成增透膜,所述增透膜用于调节不同光线反射角度所反射的光线颜色。
与现有技术相比,本发明提供的太阳能电池的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的太阳能电池的有益效果相同,在此不做赘述。
本发明还提供了一种太阳能电池组件,该太阳能电池组件包括上述技术方案所述的太阳能电池。
与现有技术相比,本发明提供的太阳能电池组件的有益效果与上述技术方案所述的太阳能电池的有益效果相同,在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1为本发明实施例提供的第一种太阳能电池的俯视图;
图2为图1中A-A’方向的剖视图一;
图3为图1中A-A’方向的剖视图二;
图4为本发明实施例提供的第二种太阳能电池的俯视图;
图5为图4中B-B’方向的剖视图一;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉能移动能源控股集团有限公司,未经汉能移动能源控股集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810909814.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的