[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

对处理容器内的衬底供给处理气体，并从包括排气管以及泵的排气部进行排气，从而对所述衬底进行处理的工序；

从设置于所述排气管的供给端口向所述排气管内直接供给第一清洁气体，从而对所述排气部内进行清洁的工序；和

向所述处理容器内供给第二清洁气体，从而对所述处理容器内进行清洁的工序，

其中，使实施对所述排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对所述处理容器内进行清洁的工序的频率。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还具有更换所述泵的工序，

其中，使实施更换所述泵的工序的频率低于实施对所述处理容器内进行清洁的工序的频率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还具有更换所述排气管的工序，

其中，使实施更换所述排气管的工序的频率低于实施对所述处理容器内进行清洁的工序的频率。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其还具有更换所述泵的工序、和更换所述排气管的工序，

其中，使实施更换所述排气管的工序的频率为实施更换所述泵的工序的频率以下。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

每实施1次对所述衬底进行处理的工序后，实施对所述排气部内进行清洁的工序，

每实施多次对所述衬底进行处理的工序后，实施对所述处理容器内进行清洁的工序。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的处理结束后、直到开始下一个衬底的处理前之间的期间实施对所述排气部内进行清洁的工序。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在将衬底收容于所述处理容器内的状态下实施对所述排气部内进行清洁的工序。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的处理结束后、将实施了所述处理的所述衬底从所述处理容器内搬出之前，实施对所述排气部内进行清洁的工序。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的处理结束后、将实施了所述处理的所述衬底从所述处理容器内搬出之后，实施对所述处理容器内进行清洁的工序。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在将所述处理容器的供所述衬底出入的开口部密闭而不是打开的状态下，实施对所述排气部内进行清洁的工序。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在使所述排气管的排气阀处于完全关闭的状态下实施对所述排气部内进行清洁的工序，所述排气阀被设置于比设置有所述供给端口的部分更靠上游一侧。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一清洁气体包含氟化氢气体，所述第二清洁气体包含氟气体、氟化氯气体、氟化氮气体或氟化氢气体。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在处理所述衬底的工序中，在所述衬底上形成至少包含硅以及氧的膜。