[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为降低排气部的维护频率。半导体器件的制造方法具有下述工序：对处理容器内的衬底供给处理气体，并从包括排气管以及泵的排气部进行排气，从而对衬底进行处理的工序；从设置于排气管的供给端口向排气管内直接供给第一清洁气体，从而对排气部内进行清洁的工序；和向处理容器内供给第二清洁气体，从而对处理容器内进行清洁的工序，其中，使实施对排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对处理容器内进行清洁的工序的频率。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述工序：对处理容器内的衬底供给处理气体，从包括排气管及泵的排气部进行排气，从而处理衬底。若通过进行该工序而在处理容器内等附着了规定量的副产物，则有时于规定的时机(timing)进行处理容器内等的清洁(例如，参见专利文献1)。另外，若在排气部内附着了规定量的副产物，则有时于规定的时机进行排气部的维护。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-222805号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的在于，提供能够降低排气部的维护频率的技术。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供下述技术，其具有下述工序：

对处理容器内的衬底供给处理气体，并从包括排气管以及泵的排气部进行排气，从而对所述衬底进行处理的工序；

从设置于所述排气管的供给端口向所述排气管内直接供给第一清洁气体，从而对所述排气部内进行清洁的工序；和

向所述处理容器内供给第二清洁气体，从而对所述处理容器内进行清洁的工序，

其中，使实施对所述排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对所述处理容器内进行清洁的工序的频率。

发明效果

根据本发明，能够降低排气部的维护频率。

附图说明

[图1]为本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以纵剖面图示出处理炉部分的图。

[图2]为本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的立式处理炉的概略构成图，并且是以图1的A-A线剖面图示出处理炉部分的图。

[图3]为本发明的一实施方式中适合使用的衬底处理装置的控制器的概略构成图，并且是以框图示出控制器的控制系统的图。

[图4]为示出本发明的一实施方式的衬底处理顺序的图。

[图5](a)为示出不实施第一清洁处理的情况下的排气部的维护频率的图，(b)为示出实施第一清洁处理的情况下的排气部的维护频率的图。

[图6]为示出附着于排气部内的副产物、与供给至排气部内的HF气体的反应的情形的图。

[附图标记说明]

200 晶片(衬底)

具体实施方式

＜本发明的一实施方式＞

以下，参照图1～图4，说明本发明的一实施方式。

(1)衬底处理装置的构成