[发明专利]复合膜层及其制作方法、OLED显示面板的制作方法在审
申请号: | 201810911262.1 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109103219A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 郭天福;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 子膜 复合膜层 制作 新型复合膜 紫外光辐射 产品品质 抵抗能力 交替层叠 依次增大 紫外光 折射率 减小 制备 阻隔 垂直 | ||
1.一种复合膜层,其特征在于,包括折射率不同的第一子膜层和第二子膜层,所述第一子膜层与所述第二子膜层交替层叠设置;
其中,所述第一子膜层的厚度与所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上依次增大或减小。
2.根据权利要求1所述的复合膜层,其特征在于,所述第一子膜层和所述第二子膜层为无机层。
3.根据权利要求1所述的复合膜层,其特征在于,所述第一子膜层和所述第二子膜层为有机层。
4.根据权利要求1所述的复合膜层,其特征在于,所述第一子膜层为有机层,所述第二子膜层为无机层。
5.根据权利要求1所述的复合膜层,其特征在于,第一子膜层的厚度和所述第二子膜层的厚度均大于50纳米且小于200纳米。
6.根据权利要求1所述的复合膜层,其特征在于,所述第一子膜层的折射率与所述第二子膜层的折射率的差值的绝对值大于0.4。
7.一种复合膜层的制作方法,所述复合膜层用于封装OLED层,
其特征在于,所述复合膜层的制作方法包括:
步骤S11、选取第一子膜层和第二子膜层,所述第一子膜层和所述第二子膜层的折射率不同;
步骤S12、采用沉积镀膜的方式将所述第一子膜层和所述第二子膜层交替层叠沉积,以完成所述复合膜层的制备;
其中,所述第一子膜层的厚度与所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上依次增大或减小。
8.根据权利要求7所述的复合膜层的制作方法,其特征在于,所述步骤S12具体步骤为:控制所述第一子膜层和所述第二子膜层的镀膜时间,使所述第一子膜层的厚度和所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上梯度增大或减小。
9.一种OLED显示面板的制作方法,所述OLED显示面板的制作方法包括权利要求7-8任一所述的复合膜层的制作方法,其特征在于,所述OLED显示面板的制作方法包括:
步骤S21、提供一玻璃基板,在所述玻璃基板的表面沉形成柔性基底层;
步骤S22、在所述柔性基底层的表面形成薄膜晶体管层;
步骤S23、在所述薄膜晶体管层的表面形成OLED层;
步骤S24、在所述薄膜晶体管层的上方形成覆盖所述OLED层的所述复合膜层,所述复合膜层的两端与所述薄膜晶体管层接触;
步骤S25、在所述复合膜层的表面形成有机层;
步骤S26、在所述有机层的表面形成无机层,所述无机层覆盖所述有机层,所述无机层的两端与所述薄膜晶体管层接触。
10.根据权利要求9所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,在所述步骤S25中,所述有机层覆盖所述复合膜层,所述有机层的两端与所述薄膜晶体管层接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810911262.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板及其制作方法、显示装置
- 下一篇:OLED显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的