[发明专利]复合膜层及其制作方法、OLED显示面板的制作方法在审
申请号: | 201810911262.1 | 申请日: | 2018-08-10 |
公开(公告)号: | CN109103219A | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 郭天福;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子膜 复合膜层 制作 新型复合膜 紫外光辐射 产品品质 抵抗能力 交替层叠 依次增大 紫外光 折射率 减小 制备 阻隔 垂直 | ||
本发明提供了一种复合膜层及其制作方法、OLED显示面板的制作方法,包括折射率不同的第一子膜层和第二子膜层,所述第一子膜层与所述第二子膜层交替层叠设置;其中,所述第一子膜层的厚度与所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上依次增大或减小。本发明通过制备一种具有阻隔紫外光辐射作用的新型复合膜层,以提高OLED显示面板对紫外光的抵抗能力,进而提高了OLED显示面板的产品品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种复合膜层及其制作方法、OLED显示面板的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode,简称OLED)具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应等优良特性,并且可以采用OLED制备柔性显示装置。OLED因此引起了科研界和产业界的极大兴趣,被认为是极具潜力的下一代技术。
目前广泛应用到显示领域的OLED屏幕通常采用顶发射(top-emitting)的器件结构,OLED器件由阳极、有机层和阴极组成。其中,有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
由于有机发光层和阴极对水和氧气非常敏感,因此防止水氧入侵腐蚀OLED中的有机发光层显得尤为重要。但是,对于OLED器件有机发光层来说,紫外光的辐射也能极大的缩短有机发光层的寿命。因此OLED器件外部的封装部要在隔离水氧入侵的同时有效的阻隔外界的紫外光对OLED器件中有机发光层的损害。因此目前亟需一种既能有效阻隔水氧也能阻隔紫外光的OLED显示面板。
发明内容
本发明提供了一种复合膜层及其制作方法、OLED显示面板的制作方法,以解决现有OLED器件外围的封装部不能阻隔紫外光的问题。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:
根据本发明的一个方面,提供了一种复合膜层,包括折射率不同的第一子膜层和第二子膜层,所述第一子膜层与所述第二子膜层交替层叠设置;
其中,所述第一子膜层的厚度与所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上依次增大或减小。
根据本发明一优选实施例,所述第一子膜层和所述第二子膜层为无机层。
根据本发明一优选实施例,所述第一子膜层和所述第二子膜层为有机层。
根据本发明一优选实施例,所述第一子膜层为有机层,所述第二子膜层为无机层。
根据本发明一优选实施例,第一子膜层的厚度和所述第二子膜层的厚度均大于50纳米且小于200纳米。
根据本发明一优选实施例,所述第一子膜层的折射率与所述第二子膜层的折射率的差值的绝对值大于0.4。
根据本发明的另一个方面,提供了一种复合膜层的制作方法,所述复合膜层用于封装OLED层,所述复合膜层的制作方法包括:
步骤S11、选取第一子膜层和第二子膜层,所述第一子膜层和所述第二子膜层的折射率不同;
步骤S12、采用沉积镀膜的方式将所述第一子膜层和所述第二子膜层交替层叠沉积,以完成所述复合膜层的制备;
其中,所述第一子膜层的厚度与所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上依次增大或减小。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S12具体步骤为:控制所述第一子膜层和所述第二子膜层的镀膜时间,使所述第一子膜层的厚度和所述第二子膜层的厚度沿垂直于所述复合膜层的方向上梯度增大或减小。
根据本发明的又一个方面,还提供了一种OLED显示面板的制作方法,所述OLED显示面板的制作方法包括权利要求7-8任一所述的复合膜层的制作方法,其特征在于,所述OLED显示面板的制作方法包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的