[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成具有第一组成的第一半导体层；

在所述第一半导体层上方形成具有第二组成的第二半导体层；

在所述第二半导体层上方形成具有所述第一组成的另一第一半导体层；

在所述另一第一半导体层上方形成具有第三组成的第三半导体层；

图案化所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层以形成鳍结构；

去除所述第三半导体层的部分，从而形成包括所述第二半导体层的纳米线，在所述去除期间，所述第一半导体层被保留，并且比所述第二半导体层对用于去除所述第三半导体层的蚀刻剂具有高抵抗力；以及

形成围绕所述纳米线的导电材料，

其中，所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层包括不同的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过按顺序重复形成所述第一半导体层、形成所述第二半导体层、形成所述另一第一半导体层以及形成所述第三半导体层来形成所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述另一第一半导体层和所述第三半导体层的交替堆叠件。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述第三半导体层的部分之前，在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在去除所述第三半导体层的部分之前，去除所述鳍结构的未由所述牺牲栅极结构覆盖的部分，从而形成源极/漏极间隔。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括，在所述源极/漏极间隔中形成源极/漏极区域。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括，当形成所述纳米线时，去除所述半导体衬底的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三半导体层和所述半导体衬底由相同的材料形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述相同的材料是硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一半导体材料是Si_1-xGe_x，并且所述第二半导体材料是Si_1-yGe_y，其中，xy，0.3≤x≤0.9并且0.1≤y≤0.5。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成鳍结构，其中，第一半导体层A、第二半导体层B和第三半导体层C以重复序列ABAC堆叠，

其中，所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层包括不同的材料；

形成牺牲栅极结构，所述牺牲栅极结构限定所述鳍结构上方的栅极区域；

从所述鳍结构的未由所述牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区域去除所述第三半导体层；

在所述源极/漏极区域中形成源极/漏极外延层；

去除所述牺牲栅极结构；

从所述栅极区域去除所述第三半导体层，在所述去除第三半导体层期间，所述第一半导体层被保留，并且比所述第二半导体层对用于去除所述第三半导体层的蚀刻剂具有高抵抗力；以及

在所述栅极区域中形成栅电极结构，其中，所述栅电极结构包裹环绕所述第一半导体层和所述第二半导体层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括，当去除所述第三半导体层时，去除所述半导体衬底的部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第三半导体层和所述半导体衬底由相同的材料形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述相同的材料是IV族元素。