[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括本体、以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与发光结构相接触。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述悬空部与本体的轴心相同，且所述悬空部边缘与本体边缘的水平直线距离为10-15微米。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述本体的高度为1.3-1.5微米，所述悬空部的高度为1.5-2微米。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的电流阻挡层，以及设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导电层。

5.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层和透明导电层，以及刻蚀至第一半导体层上的第一孔洞；

在LED晶圆上形成第一光刻胶，并对第一光刻胶进行刻蚀，在第一孔洞内形成第二孔洞，在透明导电层上形成第三孔洞；

在第一光刻胶上形成第二光刻胶，并对第二光刻胶进行刻蚀，在第二孔洞上形成与其连通的第四孔洞，在第三孔洞上形成与其连通的第五孔洞，其中，第四孔洞的面积大于第二孔洞的面积，第五孔洞的面积大于第三孔洞的面积；

在第四孔洞和第二孔洞内沉积金属形成第一电极，在第五孔洞和第三孔洞内沉积金属形成第二电极，并将第一光刻胶和第二光刻胶去除；

对LED晶圆进行裂片，形成单颗LED芯片。

6.如权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二孔洞和第四孔洞、第三孔洞和第五孔洞的轴心相同，且所述第四孔洞边缘与第二孔洞边缘、第五孔洞边缘和第三孔洞边缘的水平直线距离为10-15微米。

7.如权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二孔洞和第三孔洞的高度均为1.3-1.5微米，所述第四孔洞和第五孔洞的高度均为1.5-2微米。

8.如权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述LED晶圆的制作方法，包括：

在衬底上形成外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

对所述外延层进行刻蚀，形成贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层的第一孔洞，

在第二半导体层上依次形成电流阻挡层和透明导电层，得到LED晶圆。

9.如权利要求5所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极的结构均为Rh/W/Ti/W/Ti/W/Ti/W/Ti/Pt/Au。

10.如权利要求9所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，第一电极和第二电极的每层厚度为：Rh：W：Ti：W：Ti：W：Ti：W：Ti：Pt：Au：