[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片，包括衬底、外延层和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极的结构相同，包括本体，以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与LED晶圆相接触。本发明在不影响芯片电压的情况下，降低电极面积占有效发光面积的比例，提高芯片亮度。相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，正装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

传统LED芯片的N型电极和P型电极均设置在发光层的表面，用于增加芯片的电流扩展。如图1所示，图1是传统LED芯片的示意图，由于电极由金属制成，位于发光层表面的电极会阻挡发光层发出的光从芯片的正面出射，减少芯片有效发光面积，从而降低芯片的亮度。其中，芯片电极的面积越大，芯片的有效发光面积越小，亮度越低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片，电极面积占有效发光面积的比例低，亮度高。

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片的制作方法，减少电极面积占有效发光面积的比例，提高芯片亮度。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED芯片，包括衬底、发光结构和电极，所述电极包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均包括本体、以及设置在本体上的悬空部，所述悬空部的面积大于本体的面积，且悬空部大于本体面积的部分结构不与发光结构相接触。

作为上述方案的改进，所述悬空部与本体的轴心相同，且所述悬空部边缘与本体边缘的水平直线距离为10-15微米。

作为上述方案的改进，所述本体的高度为1.3-1.5微米，所述悬空部的高度为1.5-2微米。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的有源层，设于有源层上的第二半导体层，设于第二半导体层上的电流阻挡层，以及设于电流阻挡层和第二半导体层上的透明导电层。

相应地，本发明还提供了一种LED芯片的制作方法，包括：

提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层和透明导电层，以及刻蚀至第一半导体层上的第一孔洞；

在LED晶圆上形成第一光刻胶，并对第一光刻胶进行刻蚀，在第一孔洞内形成第二孔洞，在透明导电层上形成第三孔洞；

在第一光刻胶上形成第二光刻胶，并对第二光刻胶进行刻蚀，在第二孔洞上形成与其连通的第四孔洞，在第三孔洞上形成与其连通的第五孔洞，其中，第四孔洞的面积大于第二孔洞的面积，第五孔洞的面积大于第三孔洞的面积；

在第四孔洞和第二孔洞内沉积金属形成第一电极，在第五孔洞和第三孔洞内沉积金属形成第二电极，并将第一光刻胶和第二光刻胶去除；

对LED晶圆进行裂片，形成单颗LED芯片。

作为上述方案的改进，所述第二孔洞和第四孔洞、第三孔洞和第五孔洞的轴心相同，且所述第四孔洞边缘与第二孔洞边缘、第五孔洞边缘和第三孔洞边缘的水平直线距离为10-15微米。

作为上述方案的改进，所述第二孔洞和第三孔洞的高度均为1.3-1.5微米，所述第四孔洞和第五孔洞的高度均为1.5-2微米。

作为上述方案的改进，所述LED晶圆的制作方法，包括：